EMA25F3W0R470KDG
Resistencia de chip metálico 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W
Precisión y potencia en la detección de corriente
En la electrónica moderna, donde la eficiencia y la precisión son primordiales, la resistencia de chip metálico 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W sirve como piedra angular de la ingeniería. Este componente de alta potencia y alta precisión ofrece un rendimiento confiable en condiciones exigentes con su valor de resistencia ultrabajo, una potencia nominal sustancial de 3 W y una construcción superior.
Especificaciones técnicas
| Parámetro |
Especificación |
| Valor de resistencia |
0,47Ω (470mΩ) |
| Tolerancia |
±1% |
| Clasificación de potencia |
3W |
| Tamaño del paquete |
2512 |
| Coeficiente de temperatura (TCR) |
±50 ppm/°C |
| Material de resistencia |
Aleación de manganeso y cobre (KARMA) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C a +170°C |
Características clave
- 2512 Tamaño del paquete:Las dimensiones de 3,9 mm * 2,0 mm permiten una disipación de calor eficiente para una potencia nominal de 3 W
- 0,47 Ω (470 m ohmios):La resistencia ultrabaja minimiza la caída de voltaje para una medición de corriente precisa
- Clasificación de potencia de 5 W:Adecuado para rutas de alta corriente en fuentes de alimentación, motores y sistemas de baterías.
- 1% Tolerancia:Garantiza una medición de corriente consistente y precisa en todas las unidades.
Papel crítico de la EMA ultrabaja (0,47 m ohmios)
El ESR de 0,47 Ω (470 m Ohm) minimiza la pérdida de energía (P = I²R) y reduce la generación de calor con corrientes altas. Esta eficiencia lo hace ideal para maximizar la duración de la batería en vehículos eléctricos y mejorar los sistemas de conversión de energía.
Material y construcción superiores
La aleación Manganeso-Cobre (MnCu) proporciona:
- Coeficiente de resistencia a baja temperatura (TCR) para un rendimiento estable en todos los rangos de temperatura
- Excelente estabilidad a largo plazo contra la oxidación y la degradación.
- EMF termoeléctrico mínimo cuando se conecta a trazas de PCB de cobre
Funciones de rendimiento mejoradas
- Diseño de baja inductancia:Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia sin distorsión de señal
- Alta capacidad de sobrecorriente:Resiste sobrecargas transitorias para un rendimiento robusto del sistema
Áreas de aplicación
- Electrónica automotriz: paquetes de baterías para vehículos eléctricos, controladores de motor, cargadores a bordo
- Automatización industrial: módulos de E/S PLC, servovariadores, inversores de potencia
- Telecomunicaciones y fuentes de alimentación para servidores: convertidores de alta eficiencia
- Inversores solares y sistemas de almacenamiento de energía: monitorización de carga/descarga
Cumplimiento y Responsabilidad Ambiental
Totalmente compatible con las regulaciones RoHS y REACH, construido con materiales sin plomo para cumplir con los estándares ambientales globales.
Conclusión
La resistencia de chip de derivación metálica 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W combina una resistencia ultrabaja con una disipación de potencia robusta, una tolerancia del 1 % y una estabilidad excepcional. Su baja inductancia y alta resistencia a sobretensiones lo hacen ideal para aplicaciones exigentes de detección de corriente en los sectores automotriz, industrial y de energía renovable.
