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Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Ciudad:jinan

Provincia / Estado:shandong

País/Región:china

Persona de contacto:MrWang

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Diodo de barrera Schottky de 200 V SR1200 1A en estructura de aleación para componentes electrónicos

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Modelo no. :Se trata de la SR1200.

Estructura :De aleación

El material :el silicio

Paquete de transporte :Caja de municiones

Especificación :A través del agujero

Marca registrada :JF, JH.

Origen :China.

Código del SH :85411000

Capacidad de suministro :10000000000 piezas/año

Lugar de origen :China.

Cantidad mínima de pedido :3,000 piezas

Tiempo de entrega :Tiempo de entrega en temporada alta: un mes Tiempo de entrega fuera de temporada: dentro de los 15 d

Condiciones de pago :LC, T/T, PayPal

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Diodos rectificadores de barrera escocesa
Hecho en China JF marca

Componente electrónico
Número de la parte: SR1200 (SB1200)

Parámetro principal:

Tipo de producto	El VRRM	Si	IR ((25oC)	VF	HBM	Tj	Esquema
Tipo de producto	V.	A. No	UA	V.	KV	oC	Esquema
Se trata de la SR1200.	200	1	20	0.95	8	150	El DO-41

Envase:DO-41 a través de plástico agujero
El fabricante:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd. y sus subsidiarias

Características:

· Conexión de silicio metálico, conducción mayoritaria del portador

· Anillo de protección para la protección contra la sobre tensión

Aplicación:
Se utiliza en el campo de la energía, la iluminación, el automóvil y los electrodomésticos

Diodo de barrera Schottky de 200 V SR1200 1A en estructura de aleación para componentes electrónicos

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