6h 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas de alta temperatura pulida de carburo de silicio Sic Wafer de sustrato
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Wafer de carburo de silicio
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también una de las
Los componentes importantes del LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN y también sirve como un dispersor de calor en alta potencia
Los LEDs.
Tamaño personalizado/2 pulgadas/3 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas 6H-N/4 H-SEMI/ 4H-N lingotes SIC/ alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas diámetro 150 mm carburo de silicio
con un contenido de sodio superior o igual a 80% en peso |
Especificación
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Propiedad
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4H-SiC, cristal único
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6H-SiC, cristal único
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Parámetros de la red
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a=3,076 Å c=10,053 Å
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a=3.073 Å c=15.117 Å
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Secuencia de apilamiento
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El ABCB
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El ABCACB
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Dureza de Mohs
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≈9.2
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≈9.2
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Densidad
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3.21 g/cm3
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3.21 g/cm3
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Coeficiente de expansión térmica
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4 a 5 × 10 a 6/K
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4 a 5 × 10 a 6/K
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Indice de refracción @750nm
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no = 2.61
n = 2.66
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no = 2.60
n = 2.65
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Constante dieléctrica
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C ~ 9.66
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C ~ 9.66
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Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)
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a ~ 4,2 W/cm·K@298K
C ~ 3,7 W/cm·K@298K
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Conductividad térmica (semi-aislante)
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a ~ 4,9 W/cm·K@298K
C ~ 3,9 W/cm·K@298K
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a~4,6 W/cm·K@298K
C ~ 3,2 W/cm·K@298K
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- ¿ Qué haces?
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3.23 eV
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3.02 eV
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Campo eléctrico de ruptura
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3 a 5 × 106 V/cm
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3 a 5 × 106 V/cm
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Velocidad de deriva de saturación
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2.0 × 105 m/s
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2.0 × 105 m/s
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4H-N 4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) Especificación del sustrato
2 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato
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Grado
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Grado de MPD cero
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Grado de producción
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Grado de investigación
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Grado de imitación
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Diámetro
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100. mm±0,2 mm u otro tamaño personalizado
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El grosor
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1000±25 mm O otro grosor a medida
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Orientación de la oblea
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Fuera del eje: 4,0° hacia <1120> ±0,5° para 4H-N/4H-SI En el eje : <0001>± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
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Densidad de los microtubos
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≤ 0 cm2
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≤ 2 cm-2
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≤ 5 cm2
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≤ 30 cm2
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Resistencia 4H-N
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0.015 ~ 0.028 Ω•cm
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Resistencia 4/6H-SI
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≥1E7 Ω·cm
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Piso primario
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{10-10} ± 5,0° o de forma redonda
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Duración plana primaria
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18.5 mm±2.0 mm o de forma redonda
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Duración plana secundaria
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10.0 mm±2.0 mm
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Orientación plana secundaria
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Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0°
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Exclusión de los bordes
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1 mm
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TTV/Bow/Warp
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Se aplicarán las siguientes medidas:
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La rugosidad
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Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0,5 nm
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Las grietas causadas por la luz de alta intensidad
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No hay
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1 permitido, ≤ 2 mm
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Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
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Placas hexagonales por luz de alta intensidad
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Área acumulada ≤ 1%
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Área acumulada ≤ 1%
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Área acumulada ≤ 3%
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Áreas de politipo por luz de alta intensidad
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No hay
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Área acumulada ≤ 2%
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Área acumulada ≤ 5%
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Rasguños por luz de alta intensidad
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3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea
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5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea
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5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea
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el chip de borde
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No hay
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3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno
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5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno
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Tamaño común
Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H
Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes
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Wafer de SiC de alta pureza de 4H semi-aislante
2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora
4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante
Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante
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Wafer SiC de tipo N de 6H
Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota
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Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas
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Aplicación
Paquete
