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Shenzhen A.N.G Technology Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissDora

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China Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante wholesale

Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante

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Número de modelo :Ang-SOI 01

Lugar de origen :Guangdong, China

Cantidad mínima de pedido :100

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal y otros servicios

Capacidad de suministro :500,000PCS por mes

Tiempo de entrega :8~10 días laborables

Detalles del embalaje :Wafer único en una caja de limpieza de 100 grados

Resistencia :0.001-100000 Ohm-Cm

dopante :500A-4 ¿ Qué?

Especificación :2/3/4/6/8/12 pulgadas

Paquete de transporte :Wafer único en una caja de limpieza de 100 grados

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Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante

Wafer SOI (Silicón en aislante)

* Tamaños de obleas SOI de 3" a 200mm, algunas en inventario
* Muy alta calidad con TTV ajustado en el espesor de la capa del dispositivo
* Se dispone de unión directa Si-Si y SOI de doble cara
* Cualquier orientación de Si, cualquier espesor del dispositivo superior a 1,5 mm
* Polido de una y dos caras
* Disponible para lotes pequeños y marcado con láser de las obleas
* Tiempo de entrega corto

Tipos de fibras de soya

La personalización es una piedra angular importante de We y siempre tratamos de nuestro mejor para satisfacer todas sus necesidades.
Ofrecemos obleas SOI de los siguientes tipos:
Wafer de SOI grueso
Este tipo de oblea tiene un grosor del dispositivo de 1μm a 300μm.
Wafer de SOI ultra delgado
Este tipo de oblea tiene un grosor del dispositivo < 500 nm.
Wafer de SOI ultrauniforme
La uniformidad del espesor del dispositivo puede ser tan baja como ± 0,5 μm para SOI grueso y ± 10 nm para SOI ultra delgado.
Wafer de SOI ultraplata
Este tipo de SOI tiene un BOW/WARP/TTV muy bajo para aplicaciones específicas.

Las obleas SOI se ofrecen con gran personalización y los parámetros son muy flexibles según sus necesidades.