PWB de la capa doble con oro negro de la inmersión de la máscara de la soldadura
- Características principales:
1 2 placa de circuito impresa material del substrato de la capa FR4.
2 ROHS, MSDS, SGS, UL, ISO9001&ISO14001 certificaron.
3 el material de FR4 TG150, grueso del PWB es 1.6m m.
Máscara negra de la soldadura 4 y serigrafía blanca.
cobre 5 35um en cada capa.
El tamaño del PWB 6 es 250mm*130mm/4pcs.
El tratamiento superficial 7 es el oro 1u' de la inmersión.
PWB, cliente modificados para requisitos particulares 8 de la necesidad para enviarnos el fichero del gerber o el fichero del PWB.
- Hoja de datos material de S1150G:
| S1150G |
| Artículos |
Método |
Condición |
Unidad |
Valor típico |
| Tg |
IPC-TM-650 2.4.25 |
DSC |
℃ |
155 |
| TD |
IPC-TM-650 2.4.24.6 |
pérdida de los pesos del 5% |
℃ |
380 |
| CTE (Z-AXIS) |
IPC-TM-650 2.4.24 |
Antes del Tg |
ppm/℃ |
36 |
| Después del Tg |
ppm/℃ |
220 |
| 50-260℃ |
% |
2,8 |
| T260 |
IPC-TM-650 2.4.24.1 |
TMA |
minuto |
>60 |
| T288 |
IPC-TM-650 2.4.24.1 |
TMA |
minuto |
30 |
| Tensión termal |
IPC-TM-650 2.4.13.1 |
288℃, inmersión de la soldadura |
-- |
paso |
| Resistencia de volumen |
IPC-TM-650 2.5.17.1 |
Después de resistencia de humedad |
MΩ.cm |
6,4 x 107 |
| E-24/125 |
MΩ.cm |
5,3 x 106 |
| Resistencia superficial |
IPC-TM-650 2.5.17.1 |
Después de resistencia de humedad |
MΩ |
4,8 x 107 |
| E-24/125 |
MΩ |
2,8 x 106 |
| Resistencia de arco |
IPC-TM-650 2.5.1 |
D-48/50+D-4/23 |
s |
140 |
| Avería dieléctrica |
IPC-TM-650 2.5.6 |
D-48/50+D-4/23 |
kilovoltio |
45+kV NOTA |
| Constante de la disipación (DK) |
IPC-TM-650 2.5.5.9 |
1MHz |
-- |
4,8 |
| IEC 61189-2-721 |
10GHz |
-- |
— |
| Factor de disipación (Df) |
IPC-TM-650 2.5.5.9 |
1MHz |
-- |
0,01 |
| IEC 61189-2-721 |
10GHz |
-- |
— |
| Fuerza de cáscara (1Oz la hoja de cobre) |
IPC-TM-650 2.4.8 |
|
N/mm |
— |
| Después de la tensión termal 288℃, 10s |
N/mm |
1,4 |
| 125℃ |
N/mm |
1,3 |
| Fuerza flexural |
LW |
IPC-TM-650 2.4.4 |
|
MPa |
600 |
| CW |
IPC-TM-650 2.4.4 |
|
MPa |
450 |
| Absorción de agua |
IPC-TM-650 2.6.2.1 |
E-1/105+D-24/23 |
% |
0,1 |
| CTI |
IEC60112 |
|
Grado |
PLC 0 |
| Inflamabilidad |
UL94 |
C-48/23/50 |
Grado |
V-0 |
| E-24/125 |
Grado |
V-0 |
Q1: ¿Cuál es alta prueba del potencial (HiPot)?
A1: La alta prueba del potencial (HiPot) se conduce para comprobar si el material dieléctrico de un tablero del PWB puede soportar un voltaje más arriba que su voltaje clasificado sin la subdivisión. Éste es un tipo de ayudas de la prueba de tensión medir la fuerza dieléctrica del substrato del PWB que a su vez ayuda a medir la capacidad del aislamiento del dispositivo bajo prueba (DUT). También da una idea a cuánto voltaje puede soportar el DUT durante usos de la vida real.
En esta prueba, un alto voltaje se suministra al tablero del PWB por algunos segundos para comprobar para saber si hay el aislamiento o la fuerza dieléctrica de los componentes montados en el tablero del PWB. La duración de la prueba de HoPot puede variar a partir de algunos segundos hasta a algunos minués. El estándar del IEC 60950 dice que la prueba se debe conducir para 1 minuto. Sujetan a un tablero a la prueba de HiPot sólo después de la detección de falta, de la humedad, y de pruebas de vibración que conducen.
La CA y DC se pueden utilizar para realizar la prueba de HiPot. Esto puede depender de los requisitos establecidos por la agencia de prueba reguladora. Sin embargo es el mejor probar un dispositivo accionado de la CA con un alto voltaje ca y un dispositivo accionado de DC con un alto voltaje de DC.
¿Cómo calcular voltaje de la prueba de HiPot?
No hay manera exacta de calcular el voltaje de HiPot, sin embargo una regla empírica general sería (voltaje de entrada nominal de 2 x) + V. 1000. Para un caso, si el voltaje de entrada de funcionamiento es 140 voltios entonces el voltaje de HiPot sería (140 x 2) V + 1000 V = 1280 V o 1,28 kilovoltios.
¿Cómo está una prueba de HiPot se realizó?
Esta prueba puede ser realizada aplicando un alto voltaje a la placa de circuito o al dispositivo impresa en quienes el PWB es utilizado y de supervisión de la corriente resultante de la salida. El voltaje que se aplica en una prueba de HiPot puede ser hasta 10 veces más arriba que el voltaje clasificado del PWB. El voltaje se aplica entre la entrada principal y el chasis (marco externo) del producto.
En la figura antedicha, hemos considerado un circuito básico demostrar la condición de la prueba de HiPot
Condición del paso de la prueba de HiPot:
Si el substrato del PWB puede resistir el alto voltaje sin la subdivisión y también inhibe el flujo de corriente de la salida entonces que puede ser visto como condición del paso de HiPot.
El buen aislamiento no permitirá el flujo de exceso de salida actual en la superficie del dispositivo.
Condición del fall de la prueba de HiPot:
Si la avería ocurre y no hay control en la corriente de la salida entonces que puede ser considerado como condición del fall de HiPot.
El aislamiento pobre puede causar el flujo de exceso de salida actual en la superficie del dispositivo bajo prueba.
