Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd. y sus subsidiarias
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Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores
Esta serie de componentes cerámicos de alúmina específicos para semiconductores se fabrican utilizando material de Al₂O₃ de ultra alta pureza al 99,6% mediante procesos de colado de cinta de precisión y sinterización a alta temperatura. Los productos exhiben un excelente aislamiento, resistencia a la corrosión y estabilidad dimensional, cumpliendo con los requisitos de limpieza de la Norma SEMI F47.
Fabricación de obleas: Piezas cerámicas para máquinas de grabado, barcos de difusión
Empaquetado y pruebas: Sustratos de tarjetas de sonda, zócalos de prueba
Componentes de equipos: Efectores finales de robots
Sistemas de vacío: Bases de mandriles electrostáticos
Inspección óptica: Guías cerámicas para máquinas de litografía
✓ Ultra limpio: Contenido de iones metálicos <0.1ppm
✓ Dimensiones de precisión: Tolerancia ±0.05mm/100mm
✓ Resistencia al plasma: Tasa de grabado <0.1μm/h
✓ Baja emisión de gases: TML<0.1% CVCM<0.01%
✓ Alta fiabilidad: Pasa 1000 ciclos térmicos
| Parámetro | Especificación | Estándar de prueba |
|---|---|---|
| Pureza del material | Al₂O₃≥99.6% | GDMS |
| Resistividad volumétrica | >10⁴Ω·cm | ASTM D257 |
| Constante dieléctrica | 9.8@1MHz | IEC 60250 |
| Resistencia a la flexión | ≥400MPa | ISO 14704 |
| CTE | 7.2×10⁻⁶/°C | DIN 51045 |
| Rugosidad superficial | Ra≤0.1μm | ISO 4287 |
| Emisión de gases | TML<0.1% | ASTM E595 |
Preparación del material:
Polvo de Al₂O₃ de grado nano (D50≤0.5μm)
Molienda de bolas de alta pureza (ayudas de sinterización Y₂O₃-MgO)
Proceso de formación:
Colado de cinta (espesor 0.1-5mm)
Prensado isostático (200MPa)
Control de sinterización:
Sinterización en atmósfera de múltiples etapas (1600°C/H₂)
Post-tratamiento HIP (1500°C/150MPa)
Mecanizado de precisión:
Procesamiento láser (±5μm)
Taladrado ultrasónico (relación de aspecto 10:1)
Limpieza e inspección:
Limpieza megasónica (sala limpia Clase 1)
Prueba de partículas SEMI F47
⚠️ Almacenamiento: Embalaje limpio Clase 100
⚠️ Entorno de instalación: 23±1°C HR45±5%
⚠️ Limpieza: Solo disolventes de grado semiconductor
⚠️ Manipulación: Evitar el contacto directo con las superficies funcionales
Verificación de limpieza: Informes de pruebas VDA19
Análisis de fallos: Microanálisis SEM/EDS
Desarrollo personalizado: Codiseño DFM
P: ¿Cómo asegurar la limpieza de la superficie de contacto de la oblea?
R: Triple protección:
① Activación de la superficie del plasma
② Embalaje al vacío + almacenamiento N₂
③ Limpieza con aire ionizado antes de la instalación
P: ¿Rendimiento en plasma a base de flúor?
R: Versión con tratamiento especial:
• Tasa de grabado <0.05μm/h
• Capa de pasivación AlF₃
• 3 veces mayor vida útil
P: ¿Tamaño máximo procesable?
R: Estándar 200×200mm, proceso especial hasta 400×400mm.
