BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551

Características eléctricas

Mfr. #	MMBT5551
Montaje de estilo	SMD/SMT
Polaridad del transistor	NPN
Configuración	Solo
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo	160 V
Voltaje bajo VCBO del colector	180 V
Voltaje bajo VEBO del emisor	6 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor	0,2 V
Corriente de colector máxima de DC	0,6 A
Paladio - disipación de poder	325 mW
Producto pie del ancho de banda del aumento	300 megaciclos
Temperatura de funcionamiento mínima	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo	+ 150 C
Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento	80 en 10 mA, 5 V
HFE del aumento actual de DC máximo	250 en 10 mA, 5 V
Tipo de producto	BJTs - transistores bipolares

Características eléctricas (en TA =°C 25 salvo especificación de lo contrario)

Carro de la investigación 0

Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN

Gestión IC de la trayectoria del poder

Regulador IC del poder

Amplificador de potencia audio IC

Lógica programable ICs

Circuito integrado del microcontrolador

Productos de semiconductor discretos

Interfaz IC de UART

Convertidor de datos ICs

ICs inalámbricos

Sensor ICs

Memoria ICs

Contador de tiempo ICs del reloj

Condensador del resistor de SMD

Módulo de poder

Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN