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Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong

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Solo cristal del laser de AXIS Yvo4, rendimiento linear polarizado del laser del Nd de la salida alto

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China Solo cristal del laser de AXIS Yvo4, rendimiento linear polarizado del laser del Nd de la salida alto wholesale
  • China Solo cristal del laser de AXIS Yvo4, rendimiento linear polarizado del laser del Nd de la salida alto wholesale

Solo cristal del laser de AXIS Yvo4, rendimiento linear polarizado del laser del Nd de la salida alto
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Lugar del origen :Jinan, China
Cantidad de orden mínima :1-5
Condiciones de pago :Red 30 días
Capacidad de la fuente :Archivo
Plazo de expedición :5-30 días sobre cantidad de la orden
Detalles de empaquetado :empaquetando al vacío, caja plástica, cartón
Cristales :Nd: Yvo4
Abertura clara :el 90% de la abertura llena
Tolerancia de la abertura :±0.1mm
Orientación :A-CUT +/-0.5°
Paralelismo :≤10 ″
microprocesadores :<0>
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El Nd YVO4 del cristal del laser escoge el cristal de AXIS, salida se polariza linear

 

Descripción de productos:

 

El cristal es un cristal del laser con excelente rendimiento y es conveniente para el diodo láser que bombea, especialmente para los lasers del medio y de la energía baja. Comparado al Nd: YAG, Nd: YVO4 tiene un coeficiente de absorción más alto y un corte transversal más grande de la emisión estimulada para la luz de la bomba. Ahora Nd: El laser YVO4 ha sido ampliamente utilizado en muchos campos tales como maquinaria, tratamiento de materiales, popology, inspección de la oblea, exhibición, inspección médica, impresión por láser, almacenamiento de datos y así sucesivamente. Y Nd: Los láseres de estado sólido diodo-bombeados YVO4 están substituyendo rápidamente el mercado para el ion refrigerado por agua tradicional y los lasers lámpara-bombeados, especialmente en la miniaturización y escogen salida longitudinal del modo.

 

USO:
 
  • Laser industrial
  • Laser médico
  • Sistema de la demostración del laser
  • Utilizado principalmente para láseres de estado sólido del poder bajo y medio fin-bombeado del CW y de QCW

.

ESPECIFICACIONES:

 

Dopante 0,1% ~ el 3% Orientación A-CUT +/-0.5°
Size&Tolerance *L del *H de W (+/--0,1) (+/--0,1) (+0.5/-0.1) milímetros
Calidad superficial 10/5 Perpendicularity ≤5 ′
Paralelismo ≤10 ″ Cartabón <0>
Llanura λ/10@633nm Microprocesadores <0>
TWD λ/6@633nm CA el ≥95%
Umbral de daño ² 10ns 10Hz del 1GW/cm en 1064nm

 

Carro de la investigación 0

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