Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong

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Alto umbral de daño de la luz corta del sistema de la demostración del laser del ND YVO4 de la eficacia de la cuesta

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Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong
Ciudad:jinan
Provincia / Estado:shandong
País/Región:china
Persona de contacto:MsJennifer
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Alto umbral de daño de la luz corta del sistema de la demostración del laser del ND YVO4 de la eficacia de la cuesta

Preguntar último precio
Lugar del origen :Jinan, China
Cantidad de orden mínima :1-5
Condiciones de pago :Red 30 días
Capacidad de la fuente :Archivo
Plazo de expedición :5-30 días sobre cantidad de la orden
Detalles de empaquetado :empaquetando al vacío, caja plástica, cartón
Perpendicularity :≤5 ′
Abertura clara :90% de apertura total
Paralelismo :≤10 ″
Microprocesadores :<0.1mm
TWD :λ / 6 @ 633nm
Umbral de daño :1GW / cm² 10ns 10Hz a 1064nm
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El umbral bajo del Nd YVO4 Lasing para el diodo Laser-bombeó los láseres de estado sólido

 

Descripción de productos:

 

Comparado al Nd: YAG, Nd: YVO4 tiene un coeficiente de absorción más alto y un corte transversal más grande de la emisión estimulada para la luz de la bomba. El laser diodo-bombeó el Nd: El cristal YVO4 se utiliza conjuntamente con altos cristales no lineales del coeficiente tales como LBO, BBO, y KTP para alcanzar una mejor eficacia de conversión de frecuencia, y se puede utilizar para hacer salir la luz del infrarrojo cercano, verde, azul, y ultravioleta.  

El cristal es un cristal del laser con excelente rendimiento y es conveniente para el diodo láser que bombea, especialmente para los lasers del medio y de la energía baja. Todos los láseres de estado sólido. Ahora Nd: El laser YVO4 ha sido ampliamente utilizado en muchos campos tales como maquinaria, tratamiento de materiales, popology, inspección de la oblea, exhibición, inspección médica, impresión por láser, almacenamiento de datos y así sucesivamente.  

  • Bombee el ancho de banda alrededor de 808nm, cerca de 5 veces que del Nd: YAG
  • El corte transversal de la emisión estimulada en 1064 nanómetro es 3 veces que del Nd: YAG
  • Umbral de daño de la luz corta, alta eficacia de la cuesta
  • El solo cristal del eje, salida se polariza linear

 

  

 

ESPECIFICACIONES:

 

Llanura λ/8 en 633nm
Paralelismo arco segundo ≤20
Calidad superficial 20-10 rasguño y empuje (MIL-PRF-13830B)
Perpendicularity arcmin ≤5
Tolerancia de ángulo ≤± 0.25°
Tolerancia de la dimensión ±0.1mm
Tolerancia de la abertura ±0.1mm
Abertura clara el 90% de la abertura llena
Chaflán ≤0.2 mmx45°
Microprocesador ≤0.1mm
Período de garantía de la calidad Un año bajo uso apropiado

 

 

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