Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong

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Manufacturer from China
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7 Años
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4GW/cm2s de Pockels del modulador óptico de caja azul del color para la cavidad Q - transferencia del laser

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Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong
Ciudad:jinan
Provincia / Estado:shandong
País/Región:china
Persona de contacto:MsJennifer
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4GW/cm2s de Pockels del modulador óptico de caja azul del color para la cavidad Q - transferencia del laser

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Brand Name :CRYSTRONG
Place of Origin :China
MOQ :1-5
Price :Negotiation
Payment Terms :Net 30 days
Supply Ability :Stock
Delivery Time :5-30days upon order quantity
Packaging Details :vacuum packaging,plastic box,carton
Aperture :up to 100x100mm2
Flatness :λ/8@633nm
Optical Damage Threshold :>4GW/cm2@1064nm,20
Customized :Other
Extinction Raito :>1000:1
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Caja azul del color del interruptor de la célula Q de KDP Pockel para la Q-transferencia de la cavidad del laser

 

Descripción de productos:

 

Las células de DKDP Pockels son ampliamente utilizadas en sistemas del laser con calibre grande, poder más elevado y anchura de pulso estrecha. Están entre los Q-interruptores electrópticos óptimos usados en sistemas del laser del pulso, incluyendo sistemas del laser del OEM, los lasers médicos y cosméticos y los sistemas versátiles del laser del R&D. Ofrecemos a KD*P los Q-interruptores electrópticos serie estándar, y todas las unidades se prueban para la función electróptica y se suministran un informe de inspección de la calidad y una rutina sugerida de la alineación.

 

Las ventajas del Q-interruptor del fosfato DKDP EO de Dideuterium del potasio son como sigue:

  1. Alto deuteration (el >98%) DKDP.
  2. Ninguna birrefringencia estática
  3. Ningún daño photorefractive
  4. Propiedades eléctrico-ópticas excelentes: >3000:1 o >1500:1
  5. Diseño compacto para los usos del OEM
  6. Soporte técnico accesible

 

 

 

ESPECIFICACIONES:

 

Abertura hasta 100x100mm2
Tolerancia de la dimensión ±0.1mm
Nivel de Deuteration >el 98%
S/D 10/5
Llanura λ/8@633nm
Tolerancia de ángulo (grado) 0.25°, 0.25°
Chaflán 0.2mmx45°
Microprocesador 0.1m m
Umbral de daño óptico >4GW/cm2@1064nm, 20
Gama de longitud de onda 300-1100nm
Ratio de la extinción >1200:1
Capacitancia 6~10pF@1kHz

 

 

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