Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong

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Manufacturer from China
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Borato beta del bario de la absorción baja, borato beta del bario de la transferencia rápida para el interruptor del haz

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Tecnología fotoeléctrica Co., Ltd de Jinan Crystrong
Ciudad:jinan
Provincia / Estado:shandong
País/Región:china
Persona de contacto:MsJennifer
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Borato beta del bario de la absorción baja, borato beta del bario de la transferencia rápida para el interruptor del haz

Preguntar último precio
Lugar del origen :Jinan China
Cantidad de orden mínima :1-5
Condiciones de pago :Red 30 días
Capacidad de la fuente :Archivo
Plazo de expedición :5-30 días sobre cantidad de la orden
Detalles de empaquetado :empaquetamiento al vacío, cartón
Finalizar :20-10
Tolerancia de ángulo :≤± 0.25°
Apertura :el 90% del calibre completo
Charmfer :≤0.2mmx45°
Longitud :20m m, 25m m
Llanura :λ/10@633nm
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Sonido piezoeléctrico mínimo de la absorción del borato bajo del Beta-bario para el interruptor del haz

 

Descripción de producto:

 

la célula BBO-basada de los pockels se utiliza para cambiar el estado de polarización de la luz que pasa a través de ella cuando un voltaje se aplica a los electrodos de los cristales electrópticos de BBO. Los usos típicos incluyen la Q-transferencia de la cavidad del laser, de la luz de descarga y de acoplamiento de la cavidad del laser en y de la forma

amplificadores de las regeneraciones. El sonido piezoeléctrico bajo hace la célula de BBO Pockels atractiva para el control de los lasers de alta potencia y altos de la tarifa de la repetición. Los conductores electrónicos de la transferencia rápida hechos juego correctamente a la célula están disponibles para la Q-transferencia, la descarga de la cavidad y otros usos. Las células de BBO Pockels son dispositivos transversales del campo. El voltaje de la cuarto-onda es proporcional al ratio de espaciamiento del electrodo y la longitud del cristal, por lo tanto, una abertura más pequeña, un voltaje más bajo de la cuarto-onda, además, el diseño cristalino doble, que tiene voltaje más bajo de la cuarto-onda, es ampliamente utilizada trabajar en modo de media-onda con tiempos rápidos de la transferencia.

 

Especificaciones:

 

Llanura λ/8 en 633nm
Paralelismo arco segundo ≤20
Final 20-10
perpendicularity arcmin ≤5
Tolerancia de ángulo ≤± 0.25°
Tolerancia de la dimensión ± 0.1m m
Abertura el 90% del calibre completo
Chaflán ≤0.2mmx45°
Microprocesador ≤0.1mm
Garantía de calidad un año bajo uso apropiado.

 

 Muestras del producto:

 

Borato beta del bario de la absorción baja, borato beta del bario de la transferencia rápida para el interruptor del hazBorato beta del bario de la absorción baja, borato beta del bario de la transferencia rápida para el interruptor del haz

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