Descripción de productos:
RTP Q-SWITCH
Cristal del RTP que apela porque no es sensible a la humedad. fácil dirigir y la capa, y también él no exhibe el sonido piezoeléctrico a la tarifa elevada de la repetición. Por otra parte, el RTP exhibe los altos coeficientes electrópticos que permiten la supervisión de la célula de Pockels con el requisito del voltaje de la energía baja,
Pues el RTP es transparente a partir de la 0,4 a 3.5um, puede ser utilizado en tipos múltiples de laser por ejemplo Er: Laser de YAG en 2.94um con eficacia bastante buena. Medidas a granel de la absorción en la gama 1.064um de
50 a 150ppm usando el interferómetro común fototérmico de la trayectoria.
¿El RTP tiene un umbral de daño superficial bastante alto en el 15J/cm? (1064nm, 10ns, 10Hz).
VENTAJAS
- Un cristal excelente para los electro usos ópticos a la alta tarifa de la repetición.
- Alto umbral de daño.
- Sonido no piezoeléctrico.
- Pérdida de inserción baja.
- Diseño compensador termal.
- No higroscópico.
- Altos extinción y coeficiente de contraste.
- Gama espectral 500-3000 nanómetro.
- No inducir efecto piezoeléctrico.
USO
Na de SHG: lasers en 1064nm.
Q-interruptor y modulación electrópticos para las guías de onda ópticas.
Uso paramétrico óptico de los amplificadores (OPA) y de los osciladores (OPO).
ESPECIFICACIONES
| Abertura |
hasta 100x100mm2 |
| Longitud |
Mínimo hasta 1 milímetro, de máximo arriba hasta 40m m |
| Tolerancia de la dimensión |
±0.1mm |
| Nivel de Deuteration |
>el 98% |
| Paralelismo |
20 segundos del arco |
| Perpendicularity |
5 minutos del arco |
| S/D |
10/5 |
| Llanura |
λ/8@633nm |
| Tolerancia de ángulo (grado) |
0.25°, 0.25° |
| Chaflán |
0.2mmx45° |
| Microprocesador |
0.1m m |
| Umbral de daño óptico |
>4GW/cm2@1064nm, 20 |
| voltaje λ/4 |
< 3.6KV@1064nm, 20 |
| voltaje λ/2 |
< 6.4KV@1064nm, 20 |
| Gama de longitud de onda |
300-1100nm |
| Ratio de la extinción |
>1200:1 |
| Capacitancia |
6~10pF@1kHz |
| Garantía de calidad |
Según requisitos de cliente un año bajo uso apropiado. |
