Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. también fue incluida en la lista. Cultivamos cristal, fabricamos obleas y somos especialistas en piezoelectricidad.
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Permisión de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI
Piezoeléctrico en el aislamiento (POI) refiere a una tecnología donde los materiales piezoeléctricos se integran sobre un substrato aislador. Esto permite la utilización del efecto piezoeléctrico mientras que proporciona el aislamiento eléctrico. La tecnología del POI permite el desarrollo de diversos dispositivos y los sistemas que aprovechan las propiedades únicas de los materiales piezoeléctricos para detectar, la impulsión, y la energía que cosecha usos.
La tecnología del POI (piezoeléctrico en el aislamiento) encuentra diversos usos en diversos campos debido a su capacidad de combinar las ventajas de materiales piezoeléctricos con el aislamiento eléctrico. Por ejemplo los sensores, sistemas y almacenamiento y generación de energía microelectromecánico.
La flexibilidad de integrar los materiales piezoeléctricos sobre un substrato aislador para abrir las posibilidades de las soluciones innovadoras en campos diversos, incluyendo electrónica, energía, atención sanitaria, y más.
| Oblea de LNOI | |||
| Estructura | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">)/el 95%del milímetro2 del ∗ 5 |
| Diámetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borde Exclution | 5 milímetros |
| Grueso | 500 μm del ± 20 | Arco | Dentro del μm 50 |
| Longitud plana primaria | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Ajuste del borde | ± 2 0,5 milímetros |
| El biselar de la oblea | R del tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| Capa superior de LN | |||
| Grueso medio | 400/600±10 nanómetro | Uniformidad | < 40nm=""> |
| Índice de la refracción | ningunos > 2,2800, ne < 2=""> | Orientación | ± 0.3° del eje de X |
| Grado | Óptico | Ra superficial | < 0=""> |
| Defectos | >1m m ningunos; ≦1milímetrodentrode300totales |
Delaminación | Ninguno |
| Rasguño | >el 1cm ningunos; ≦el1cmdentrode3 |
Plano primario | Perpendicular al ± 1° de +Y AXIS |
| Aislamiento SiO2 capas | |||
| Grueso medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformidad | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido termal | Índice de la refracción | 1.45-1.47 @ 633 nanómetro |
| Substrato | |||
| Material | Si | Orientación | <100> ± 1° |
| Orientación plana primaria | <110> ± 1° | Resistencia | > kΩ 10·cm |
| Contaminación de la parte trasera | Ninguna mancha visible | Parte trasera | Grabado de pistas |
