Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. también fue incluida en la lista. Cultivamos cristal, fabricamos obleas y somos especialistas en piezoelectricidad.

Manufacturer from China
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Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

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Ciudad:hangzhou
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

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Number modelo :Zafiro (Al2O3)
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5 piezas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000 pedazos/mes
Plazo de expedición :1-4 semanas
Detalles de empaquetado :Casete, tarro, paquete de la película
Material :Sapphire Windows
Crecimiento :Método de Kyropoulos
Punto de fusión :°C 2040
Conductividad termal :27,21 con (m x K) en 300 K
Extensión termal :5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g
Capacidad de calor específico :419 j (kilogramo x K)
Constante dieléctrica :11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz
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Oblea de Sapphire Wafer Sapphire Windows Piezoelectric del semiconductor

 

El zafiro es un material de una combinación única de propiedades físicas, químicas y ópticas, que hacen resistente a la erosión del choque de alta temperatura, termal, del agua y de la arena, y de rasguño. Es un material superior de la ventana para muchos usos del IR a partir del 3µm hasta los 5µm. los substratos del zafiro del C-avión son ampliamente utilizados crecer compuestos de III-V y de II-VI tales como GaN para el LED y los diodos láser azules, mientras que los substratos del zafiro del R-avión se utilizan para la deposición hetero-epitaxial del silicio para los usos microelectrónicos de IC.

 

Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistenteRasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

 

Artículo

C-avión 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Grueso

μm 500 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

ARCO

< 15="">

DEFORMACIÓN

< 15="">

Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

Artículo

C-avión 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Grueso

μm 650 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

ARCO

< 20="">

DEFORMACIÓN

< 20="">

Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

Artículo

C-avión 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino

Grado

Primero, Epi-listo

Orientación superficial

C-avión (0001)

apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1°

Diámetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Grueso

μm 1300 +/- μm 25

Orientación plana primaria

Uno-avión (11-20) +/- 0.2°

Longitud plana primaria

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Solo lateral pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(SSP)

Superficie trasera

Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2

Lateral doble pulido

Front Surface

Epi-pulido, Ra < 0="">

(DSP)

Superficie trasera

Epi-pulido, Ra < 0="">

TTV

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ARCO

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DEFORMACIÓN

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Limpieza/que empaqueta

Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío,

25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única.

 

Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

 

Control de aceptación

Rasguño de Sapphire Windows Piezoelectric Wafer Semiconductor resistente

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