M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov
El método de Stepanov se utiliza para el crecimiento de los detalles del zafiro del monocristal de diversas configuraciones, incluyendo las barras del zafiro, los tubos y las cintas.
El método de cristalización horizontalmente dirigida es ampliamente utilizado en la síntesis de los monocristales grandes del zafiro. Los elementos de la cristalización dirigida y de la fusión zonal se combinan con éxito en el Gorizontally dirigieron método de la cristalización (HDC). El cristal crece en el movimiento lento de la zona derretida local a lo largo del envase con la carga de horno, teniendo una forma del barco. El método dirigido horizontal de la cristalización provee de recepción del zafiro monocristalino la pequeña dispersión de los tamaños del corte transversal y permite crecer el monocristal del zafiro de cualquier orientación cristalográfica bajo la forma de placas de los tamaños del registro inalcanzables en el uso de otros métodos del crecimiento.
PROPIEDADES ÓPTICAS
| Transmisión | 0,17 a 5,5 um |
| Índice de refracción | 1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 um |
| Pérdida de reflexión | en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
| Índice de la absorción | 0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 um |
| dN/dT | 13,7 x 10-6 en 5,4 um |
| dn/dm = 0 | 1,5 um |
| Orientación | R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada |
| Tolerancia de la orientación | ± 0.3° |
| Diámetro | 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras |
| Tolerancia del diámetro | 0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas |
| Grueso | 0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros; |
| Tolerancia del grueso | los 25μm |
| Longitud plana primaria | 16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas |
| Orientación plana primaria | ± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2° |
| TTV | ≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
| ARCO | ≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
| Front Surface | Epi-pulido (Ra< 0.3nm para el C-avión, 0.5nm para otras orientaciones) |
| Superficie trasera | Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido |
| Empaquetado | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100 |
Control de aceptación
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