Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd

Creciendo cristalino, valor de Lingling.

Manufacturer from China
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Los dispositivos del rubí sintético/de la microonda del aluminato del magnesio MgAl2O4 escogen los substratos de Crysta

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Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd
Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
Persona de contacto:Mrsales
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Los dispositivos del rubí sintético/de la microonda del aluminato del magnesio MgAl2O4 escogen los substratos de Crysta

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Place of Origin :China
Brand Name :CRYLINK
Certification :Iso9001
MOQ :1 Pieces
Price :negotiation
Packaging Details :Carton
Delivery Time :3-4 weeks
Payment Terms :TT
Supply Ability :100 pieces /month
Model Number :CRYLINK-MgAl2O4Crystal
Name :MgAl2O4 Crystal Substrates
Perpendicular :5
surface Quality :10/5
Wavefront Distortion :/4 @632nm
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Detalles del producto
 

Descripción

 

Crystalsare del aluminato del magnesio solo (MgAl2 O4 o rubí sintético) ampliamente utilizado para los dispositivos a granel de la onda acústica y de la microonda y los substratos epitaxiales rápidos de IC. MgAl2 O4 es un material atractivo para las aplicaciones en una amplia gama de usos ópticos, electrónicos y estructurales incluyendo las ventanas y las lentes, que requieren la transmisión excelente del directo visible al mediados de IR. La transmisión teórica es muy uniforme y se acerca al 87% entre 0,3 a 5 micrones. Las características de la transmisión rivalizan el de ALON y del zafiro en la mediados de-onda IR, haciéndola especialmente atractiva para los requisitos de funcionamiento cada vez mayores de los sistemas de la proyección de imagen del IR de la corriente y de la siguiente generación.

También se encuentra que MgAl2 O4 es un buen substrato para el dispositivo de los nitruros de III-V. El rubí sintético (MgAl2 O4) es un candidato a tal substrato de GaN LDs. La estructura cristalográfica de MgAl2O4 es un tipo de rubí sintético (Fd3m), y su constante del enrejado es 8.083A. MgAl2O4 es un material relativamente barato del substrato, que se ha aplicado con éxito al crecimiento de las películas de alta calidad de GaN. MgAl2O4 se hiende en (los 100) aviones. Las cavidades de GaN LD han sido obtenidas simplemente hendiendo MgAl2 substratosdeO4 a lo largo (de las 100) direcciones, que también trabajará bien para ZnO. El cristalde MgAl2O4 es muy difícil de crecer, debido a la dificultad en mantener una estructura la monofásico.

 

Características

 

buenas propiedades ópticas, químicas y termales

buenas propiedades das alta temperatura

funcionamiento físico estable

 

 

Usos

 

 

Substratode MgAl2 O4

 

 

Especificación principal

 

Materiales

MgAl2O4

Orientación

[100] o [100] o [111] < ±0.5°

Paralelo

10

Perpendicular

5

calidad superficial

10/5

Distorsión del frente de onda

/4 @632nm

Llanura superficial

/8 @632nm

Abertura clara

>el 95%

Chaflán

<0.1×45°

Tolerancia del grueso/del diámetro

±0.05 milímetro

Dimensiones máximas

diámetro 50×100m m

Capas

AR AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030

 

 

Características materiales

Comprobación y chemicalcharacteristics

 

Fórmula química

MgAl2 O4

Estructura cristalina

cúbico: m3m

Parámetros del enrejado,

a = 8,083

Punto de fusión (℃)

2130°C

Densidad, g/cm3

3,61 g/cm3

Alcance de transmisión

0.215.3 m

Índice de refracción

1,8245 @0.8 m,

Dureza de Mohs

8

Conductividad termal en 25°C, xK-1 de Wxcm-1

14,0 con (mK)

Coeficiente de la extensión termal

7.45×10-6/K

Velocidad de fase

6500 m/s en (100) la onda de esquileo

Pérdida de la propagación

6,5 dB/ms

Calor específico

0,59 W.s/g/K

 

 

Producto estándar

 

Orientación

Configuración del final, nanómetro

Grueso, nanómetro

Índice de refracción

[1 0 0]

5×5

0,5

1.8245@0.8 m

[1 1 0]

[1 1 1]

[1 0 0]

1

[1 1 0]

[1 1 1]

[1 0 0]

 
Carro de la investigación 0