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Tipo 1N5819 del rectificador SMD de la barrera de Schottky del soporte de la superficie de SS14 1.0A 40V
Descripción:
Un diodo de Schottky también se conoce como diodo de portador caliente; es un diodo de semiconductor con una acción muy rápida de la transferencia, pero una caída de voltaje delantera baja. Cuando una corriente atraviesa el diodo hay una pequeña caída de voltaje a través de los terminales del diodo. En un diodo normal, la caída de voltaje está entre 0,6 a 1,7 voltios, mientras que en un diodo de Schottky la caída de voltaje se extiende normalmente entre 0,15 y 0.45volts. Este descenso de tensión inferior proporciona una velocidad de transferencia más alta y una mejor eficacia de sistema. En el diodo de Schottky, un empalme del semiconductor-metal se forma entre un semiconductor y un metal, así creando una barrera de Schottky. El N-tipo semiconductor actúa mientras que un cátodo y el lado del metal actúa como el ánodo del diodo.
Características:
• Para el uso superficial del soporte
• Extremadamente - VF bajo
• Construcción epitaxial
• Pérdida de la energía baja, eficacia alta
• Carga almacenada punto bajo, construcción del portador de mayoría
• El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad de la UL
Uso:
• Puede ser utilizado para prevenir problema reverso de la polaridad
• Rectificadores de media-onda y de onda completa
• Utilizado como dispositivo de protección
• Reguladores actuales del flujo
Grados máximos y características termales:
Valorando en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario, resistente o inductiva carga, 60 herzios.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.
Parámetro | Símbolo | SS14 | Unidad |
Voltaje reverso máximo de Max.recurrent | VRRM | 40 | V |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 28 | V |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 40 | V |
Corriente de salida rectificada delantera media máxima en TA=90℃ | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
1,0 |
A |
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | IFSM | 25 | A |
Resistencia termal típica por el elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
Capacitancia de empalme típica por el elemento | Cj | 70 | PF |
Empalme de funcionamiento |
Tj |
-55 a +125 | ℃ |
Gama de temperaturas de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | ℃ |
Características eléctricas:
Clasificación en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario. Carga resistente o inductiva, 60Hz.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal antes de 20%.
Parámetro | Símbolo | SS14 | Unidad |
Caída de voltaje delantera instantánea máxima por la pierna en 0.5A | VF | 0,5 | V |
Corriente reversa máxima de DC en TA=25℃ clasificado |
IR |
0,5 |
μA |
Dimensión: