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Diodo de portador caliente del diodo de rectificador de la barrera de Schottky del generador 40V 1A con el caso DO-41

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Ciudad:ningbo
Provincia / Estado:zhejiang
País/Región:china
Persona de contacto:MrRoy Zhang
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Diodo de portador caliente del diodo de rectificador de la barrera de Schottky del generador 40V 1A con el caso DO-41

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Número de modelo :1N5819
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :100000pcs
Capacidad de la fuente :1000000pcs
Detalles de empaquetado :50000PCS/CARTON, 8.5KG, los 43*27*31cm
Plazo de expedición :8-10 días del trabajo
Condiciones de pago :L / C, T / T
El otro nombre :diodo Schottky
Polaridad :Banda del cátodo
Posición de montaje :cualquier
Peso :0.34grams (aproximado)
corriente delantera media :1A
Corriente máxima sin repetición :25A
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diodo de barrera de 1N5819 40V 1A Schottky con la caja DO-41 para el generador

 

Descripción:

 

Un diodo es una válvula unidireccional para la electricidad. Los diodos permiten el flujo de electricidad en una dirección. La mayoría de los diodos tienen una línea pintada en un extremo que muestra la dirección o el flujo. El lado negativo es normalmente blanco.

 

Un diodo de Schottky también se conoce como diodo de portador caliente; es un diodo de semiconductor con una acción muy rápida de la transferencia, pero una caída de voltaje delantera baja. Cuando una corriente atraviesa el diodo hay una pequeña caída de voltaje a través de los terminales del diodo. En un diodo normal, la caída de voltaje está entre 0,6 a 1,7 voltios, mientras que en un diodo de Schottky la caída de voltaje se extiende normalmente entre 0,15 y 0.45volts. Este descenso de tensión inferior proporciona una velocidad de transferencia más alta y una mejor eficacia de sistema. En el diodo de Schottky, un empalme del semiconductor-metal se forma entre un semiconductor y un metal, así creando una barrera de Schottky. El N-tipo semiconductor actúa mientras que un cátodo y el lado del metal actúa como el ánodo del diodo.

 

Características:

 

Extremadamente - VF bajo
Construcción epitaxial
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Carga almacenada punto bajo, construcción del portador de mayoría
El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad de la UL

 

Uso:

 

Los diodos de Schottky se utilizan para el voltaje que afianza los usos y la prevención con abrazadera de la saturación del transistor debido a la densidad de gran intensidad en el diodo de Schottky. Es también sea una caída de voltaje delantera baja en el diodo de Schottky, él se pierde en menos calor, tomándoles una decisión eficiente para los usos que son sensibles y mismo eficacia. Debido al diodo de Schottky usado en sistemas fotovoltaicos solos del soporte para evitar que las baterías descarguen el propósito para los paneles solares en la noche así como en sistemas conectados rejilla, conteniendo secuencias múltiples es paralelamente conexión conectada. Los diodos de Schottky también se utilizan como rectificadores en fuentes de alimentación.

 

Grados máximos y características termales:

 

Valorando en la temperatura ambiente de 25salvo especificación de lo contrario, resistente o inductiva carga, 60 herzios.

Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.

 

Parámetro Símbolo 1N5819 Unidad
Voltaje reverso máximo de Max.repetitive VRRM 40 V
Voltaje de entrada máximo del puente del RMS VRMS 28 V
Voltaje de bloqueo máximo de DC VDC 40 V
Corriente de salida rectificada delantera media máxima en TA=75℃ SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 1,0 A
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola sobrepuesta en carga clasificada IFSM 25 A
Resistencia termal típica por el elemento ReJA 50 ℃/W
Capacitancia de empalme típica por el elemento Cj 110 PF
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

Tj

TSTG

-55 a +125

 

Características eléctricas:

 

Clasificación en la temperatura ambiente de 25salvo especificación de lo contrario. Carga resistente o inductiva, 60Hz.

Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal antes de 20%.

 

Parámetro Símbolo 1N5819 Unidad
Caída de voltaje delantera instantánea máxima por la pierna en 1.0A VF 0,6 V

Corriente reversa máxima de DC en TA=25℃ clasificado

Voltaje de bloqueo de DC por el elemento TA=25℃

IR

1,0

10,0

mA

 

Dimensión:

Diodo de portador caliente del diodo de rectificador de la barrera de Schottky del generador 40V 1A con el caso DO-41

Carro de la investigación 0