diodo de rectificador de 1N5822 40V 3A Schottky para el uso en la baja tensión
Descripción:
Un diodo de Schottky, similar a un diodo regular, límites el flujo de electricidad a una dirección, como la acción de una válvula unidireccional del agua. El diodo de Schottky, sin embargo, tiene un tiempo de respuesta eléctrico aumentado debido a una mucha disipación de tensión inferior. Los malfuncionamientos comunes de un diodo de Schottky incluyen poner en cortocircuito eléctrico y el recalentamiento.
La composición del semiconductor de un diodo de Schottky es levemente diferente de un diodo normal, y ésta da lugar a una caída de voltaje delantera mucho más pequeña, que está generalmente entre 0.15V y 0.45V. Todavía tendrán un voltaje de avería muy grande sin embargo.
Los diodos de Schottky son especialmente útiles en la limitación de pérdidas, cuando hasta el último pedazo del voltaje debe ser ahorrado. Son bastante únicos conseguir un símbolo de circuito sus los propio, con las curvas de un par en el extremo de la cátodo-línea.
Características:
• Extremadamente - VF bajo
• Construcción epitaxial
• Pérdida de la energía baja, eficacia alta
• Carga almacenada punto bajo, construcción del portador de mayoría
• El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad de la UL
Uso:
• Los diodos de Schottky se utilizan como rectificadores de fines generales.
• Los diodos de Schottky se utilizan en los usos de (RF) de la radiofrecuencia.
• Los diodos de Schottky son ampliamente utilizados en fuentes de alimentación.
• Los diodos de Schottky se utilizan para detectar señales.
• Los diodos de Schottky se utilizan en circuitos de lógica.
Grados máximos y características termales:
Valorando en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario, resistente o inductiva carga, 60 herzios.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.
| Parámetro |
Símbolo |
1N5822 |
Unidad |
| Voltaje reverso máximo de Max.repetitive |
VRRM |
40 |
V |
| Voltaje de entrada máximo del puente del RMS |
VRMS |
28 |
V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC |
VDC |
40 |
V |
| Corriente de salida rectificada delantera media máxima en TA=75℃ |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
3,0 |
A |
| Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola sobrepuesta en carga clasificada |
IFSM |
80 |
A |
| Resistencia termal típica por el elemento |
ReJA |
30 |
℃/W |
| Capacitancia de empalme típica por el elemento |
Cj |
250 |
PF |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
Tj
TSTG
|
-55 a +125 |
℃ |
Características eléctricas:
Clasificación en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario. Carga resistente o inductiva, 60Hz.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal antes de 20%.
| Parámetro |
Símbolo |
1N5822 |
Unidad |
| Caída de voltaje delantera instantánea máxima por la pierna en 1.0A |
VF |
0,525 |
V |
|
Corriente reversa máxima de DC en TA=25℃ clasificado
Voltaje de bloqueo de DC por el elemento TA=25℃
|
IR |
2,0
20,0
|
mA |
Dimensión:
