BA159 ayunan el diodo de rectificador de silicio de la recuperación 1.0A 1000V para el conductor del LED
Descripción:
El diodo de rectificador ultrarrápido de la recuperación es un dispositivo de semiconductor que posee el tiempo de recuperación reversa corto para el propósito de la rectificación en el de alta frecuencia. Un rato de recuperación rápida es crucial para la rectificación de la señal de alta frecuencia de la CA. Los diodos se utilizan sobre todo en rectificadores porque poseen velocidad de transferencia ultraalta.
El diodo rápido de la recuperación se construye de la manera similar por la cual el diodo ordinario es construido. La diferencia principal en la construcción entre estos diodos y los diodos convencionales es la presencia de centros de recombinación. En diodos rápidos de la recuperación, el oro (Au) se añade al material del semiconductor. Esto lleva al aumento en el valor numérico de los centros de recombinación debido a cuál disminuye el curso de la vida (?) de ondas portadoras.
Características:
• Empalme difundido
• Transferencia rápida para la eficacia alta
• Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
• Grado de sobrecarga de la oleada al pico 30A
• Corriente reversa baja de la salida
• El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad de la UL
Ventajas del diodo rápido de la recuperación:
• Velocidad de transferencia ultraalta
• Tiempo de recuperación reversa bajo
• Eficacia mejorada con respecto a los diodos convencionales.
• Pérdida reducida
Grados máximos y características termales:
Valorando en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario, resistente o inductiva carga, 60 herzios.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.
| Parámetro |
Símbolo |
BA159 |
Unidad |
| Voltaje reverso máximo de Max.repetitive |
VRRM |
1000 |
V |
| Voltaje de entrada máximo del puente del RMS |
VRMS |
700 |
V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC |
VDC |
1000 |
V |
| Corriente de salida rectificada delantera media máxima en TA=75℃ |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) |
1,0 |
A |
| Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola sobrepuesta en carga clasificada |
IFSM |
30 |
A |
| Tiempo de recuperación reversa máximo TJ=25℃ |
Trr |
500 |
nS |
| Resistencia termal típica por el elemento |
ReJA |
50 |
℃/W |
| Capacitancia de empalme típica por el elemento |
Cj |
15 |
PF |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
Tj
TSTG
|
-65 a +150 |
℃ |
Características eléctricas:
Clasificación en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario. Carga resistente o inductiva, 60Hz.
Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal antes de 20%.
| Parámetro |
Símbolo |
BA159 |
Unidad |
| Caída de voltaje delantera instantánea máxima por la pierna en 1.0A |
VF |
1,3 |
V |
|
Corriente reversa máxima de DC en TA=25℃ clasificado
Voltaje de bloqueo de DC por el elemento TA=25℃
|
IR |
5,0
50,0
|
mA |
Dimensión:
