Tiempo que cambia rápido Mos Field Effect Transistor, transistor del interruptor
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:G170C03LR1S
Minimum Order Quantity:Negotiation
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9ª planta, edificio A, edificio de Fuyong Heping Otomo, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
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Tiempo que cambia rápido Mos Field Effect Transistor, transistor del interruptor
Mos Field Effect Transistor Description
Utilizan a Mos Field Effect Transistor en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. S variable incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica.
Mos Field Effect Transistor Feature
N- Canal P - canal
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 del mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 del mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
la avalancha 100% del probó
confiable y rugoso
halógeno del libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)
Mos Field Effect Transistor Applications
Rectificadores síncronos
Poder inalámbrico
impulsión del motor del H-puente
Información que ordena y de marcado
S
G170C03
XYMXXXXXX
Código del paquete
S: SOP8L
Código de fecha
XYMXXXXXX
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen los compuestos que
moldean/para morir los materiales de la fijación y la placa de lata
mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS.
Los productos sin plomo de HUAYI resolver o exceder el sin plomo
requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la
temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno
libremente (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm
por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones,
aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.
Grados máximos absolutos
Características de funcionamiento típicas N-Mosfet
Tiempo que cambia rápido Mos Field Effect Transistor, transistor del interruptor
Carro de la investigación
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