Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
Number modelo:PD57018-E
Cantidad de orden mínima:1000
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:5k-10k por día
Plazo de expedición:5-8 días del trabajo
Detalles de empaquetado:Paquete: QFN
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
| Nombre de producto: PD57018-E | |
| Fabricante: STMicroelectronics | Categoría de producto: Transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del RF (MOSFET del RF) |
| Polaridad del transistor: Canal N | Tecnología: Si |
| Corriente Identificación-continua del dren: 2,5 A | voltaje de avería de la Vds-dren-fuente: 65 V |
| Fuente del En-dren del Rds en resistencia: 760 mOhms | Frecuencia de funcionamiento: 1 gigahertz |
| Aumento: DB 16,5 | De potencia de salida: 18 W |
| Temperatura de funcionamiento mínima: - 65 C | Temperatura de funcionamiento máximo: + 150 C |
| Estilo de la instalación: SMD/SMT | Paquete/caso: PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Paquete: Tubo | Marca: STMicroelectronics |
| Modo del canal: Aumento | Configuración: Solo |
| Transconductancia delantera - minuto: 1 S | Altura: 3,5 milímetros |
| Longitud: 7,5 milímetros | Sensibilidad de humedad: Sí |
| Disipación del Paladio-poder: 31,7 W | Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF |
| Serie: PD57018-E | Cantidad que embala de la fábrica: 400 |
| Subcategoría: MOSFETs | Tipo: MOSFET del poder del RF |
| Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: 20 V | Anchura: 9,4 milímetros |
| Peso de unidad: 3 g |
Transistores negros del MOSFET del RF de los transistores del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal de PD57018-E RF (MOSFET del RF)
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