velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Shenzhen China
Dirección:
9ª planta, edificio A, edificio de Fuyong Heping Otomo, Baoan District, Shenzhen
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Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOD-123 Plástico-encapsulan el DIODO de TRANSFERENCIA de los diodos BAV19W~BAV21W
DIODO DE TRANSFERENCIA DE BAV19W~BAV21W
CARACTERÍSTICAS
Corriente reversa baja de Ÿ
Paquete superficial del soporte de Ÿ adecuado idealmente para la inserción automática
Velocidad de transferencia rápida de Ÿ
Ÿ para los usos que cambian de fines generales
MARCA:
La barra de marcado indica el cátodo
Punto sólido = dispositivo compuesto que moldea verde,
si ninguno, el dispositivo normal.
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo |
Parámetro | Valor |
Unidad | ||
| BAV19W | BAV20W | BAV21W | |||
| VRM | Voltaje reverso máximo sin repetición | 120 | 200 | 250 | V |
| VRRM | Voltaje reverso repetidor máximo |
100 |
150 |
200 |
V |
| VRWM | Voltaje reverso máximo de trabajo | ||||
| VR (RMS) | Voltaje reverso del RMS | 71 | 106 | 141 | V |
| IO | Corriente de salida rectificada media | 200 | mA | ||
| IFSM | Sobretensión delantera máxima sin repetición @ t=8.3ms | 2,0 | |||
| Paladio | Disipación de poder | 500 | mW | ||
| RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 250 | ℃/W | ||
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ | ||
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | |
Corriente reversa |
IR | VR=100V | BAV19W | 0,1 |
UA | ||
| VR=150V | BAV20W | 0,1 | |||||
| VR=200V | BAV21W | 0,1 | |||||
Voltaje delantero |
VF | IF=100mA | 1 |
V | |||
| IF=200mA | 1,25 | ||||||
| Capacitancia total | Ctot | VR=0V, f=1MHz | 5 | PF | |||
| Tiempo de recuperación reversa | trr | IF= IR =30mA, Irr=0.1*IR, RL=100Ω | 50 | ns | |||
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 1,050 | 1,250 | 0,041 | 0,049 | |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 1,050 | 1,150 | 0,041 | 0,045 |
| b | 0,450 | 0,650 | 0,018 | 0,026 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 1,500 | 1,700 | 0,059 | 0,067 |
| E | 2,600 | 2,800 | 0,102 | 0,110 |
| E1 | 3,550 | 3,850 | 0,140 | 0,152 |
| L | 0,500 REFERENCIAS | 0,020 REFERENCIAS | ||
| L1 | 0,250 | 0,450 | 0,010 | 0,018 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
velocidad de transferencia rápida de transferencia 500mw del diodo Zener dual dual del diodo
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