Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Disipación de poder
MARCA
Código de D882=Device
Punto sólido = dispositivo compuesto que moldea verde, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método que embala | Cantidad del paquete |
| D882 | TO-126 | Bulto | 200pcs/Bag |
| D882-TU | TO-126 | Tubo | 60pcs/Tube |
GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma
diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 40 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 30 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 3 | |
| PC | Disipación de poder del colector | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE =0 | 40 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO DE V (BR) | IC = 10mA, IB =0 | 30 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE = 100μA, IC =0 | 6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB = 40 V, IE =0 | 1 | µA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE = 30 V, IB =0 | 10 | µA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB = 6 V, IC =0 | 1 | µA | ||
| Aumento actual de DC | hFE | VCE = 2 V, IC = 1A | 60 | 400 | ||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 1,5 | V | ||
Frecuencia de la transición |
pie | VCE = 5V, IC =0.1A f =10MHz |
90 |
Megaciclo |
CLASIFICACIÓN del hFE (2)
| Fila | R | O | Y | GR |
| Gama | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 | |
| A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2,290 TIPO | 0,090 TIPOS | ||
| e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de los transistores de poder de la extremidad de RoHS NPN
Carro de la investigación
0