Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TO-263-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13005 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Usos que cambian del poder
GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 700 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 9 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 1,5 | |
| PC | Disipación del colector | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Temperatura del empalme y de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO DE V (BR) | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE = 1mA, IC =0 | 9 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB = 700V, IE =0 | 1 | mA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE = 400V, IB =0 | 0,5 | mA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB = 9 V, IC =0 | 1 | mA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE = 5 V, IC = 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE = 5 V, IC = 1.5A | 5 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Voltaje del emisor de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Frecuencia de la transición |
pie | VCE =10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megaciclo | ||
| Tiempo de caída | tf | IC =1A, IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tiempo de almacenamiento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASIFICACIÓN de hFE1
| Fila | |||||||
| Gama | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASIFICACIÓN de tS
| Fila | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Gama | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Dimensiones del esquema del paquete TO-92
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 | |
| A1 | 0,000 | 0,150 | 0,000 | 0,006 |
| B | 1,120 | 1,420 | 0,044 | 0,056 |
| b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| e | 2,540 TIPO. | 0,100 TIPOS. | ||
| e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| L | 14,940 | 15,500 | 0,588 | 0,610 |
| L1 | 4,950 | 5,450 | 0,195 | 0,215 |
| L2 | 2,340 | 2,740 | 0,092 | 0,108 |
| Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| V | 5,600 REFERENCIA. | 0,220 REFERENCIAS. | ||
Los transistores de poder de la extremidad 3DD13005 cambian eficacia alta del voltaje de base del emisor 9V
Carro de la investigación
0