Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
Cantidad de orden mínima:1500
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:3000000PCS/month
Plazo de expedición:5-15days
Detalles de empaquetado:Tubo
Number modelo::HBR20200
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Conveniente para el diodo de barrera de alta frecuencia de la fuente de alimentación que cambia 20A 200V Schottky HBR20200 TO-220C TO-220HF TO-263
USOS
diodos que ruedan libres del interruptor del de alimentación del de alta frecuencia de la fuente, usos de la protección de la polaridad
CARACTERÍSTICAS
pérdida común de la energía baja del de la estructura del cátodo del , anillo de guardia de funcionamiento del de la temperatura de empalme del de la eficacia alta alto para la protección de la sobretensión, alto producto de RoHS del de la confiabilidad
Uso de alta frecuencia de la protección de la polaridad de Mos Field Effect Transistor 20A 200V
Carro de la investigación
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