Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N5401 (PNP)
CARACTERÍSTICA
Transferencia y amplificación de Ÿ en alto voltaje
Usos de Ÿ tales como telefonía
Ÿ de poca intensidad
Alto voltaje de Ÿ
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método que embala | Cantidad del paquete |
| 2N5401 | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -160 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -150 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente de colector | -0,6 | |
| PC | Disipación de poder del colector | 625 | mW |
| R0 JA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 200 | Š/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | Š |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | Š |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC = -0.1MA, IE =0 | -160 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO DE V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -150 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE =-0.01MA, IC =0 | -5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB =-120V, IE =0 | -50 | nA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB =-3V, IC =0 | -50 | nA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE =-5V, IC =-1MA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE =-5V, IC =-10MA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE =-5V, IC =-50MA | 50 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC =-50MA, IB =-5MA | -0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | IC =-50MA, IB =-5MA | -1 | V | ||
| Frecuencia de la transición | pie | VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | Megaciclo |
CLASIFICACIÓN del hFE (2)
| FILA | B | C | |
| GAMA | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
Transistor del poder más elevado PNP del transistor de poder del silicio del SGS para los componentes electrónicos
Carro de la investigación
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