transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)
CARACTERÍSTICA
Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
Alto voltaje de avería
Marca: D965A
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 310 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 305 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 5 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 200 | mA |
| ICM | Corriente de colector - pulsada | 500 | mA |
| PC | Disipación de poder del colector | 500 | mW |
| RθJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 250 | ℃/W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo
contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC =100ΜA, IE =0 | 310 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO DE V (BR) | IC =1MA, IB =0 | 305 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE =100ΜA, IC =0 | 5 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB =200V, IE =0 | 0,25 | µA | ||
ICEX | VCE =100V, VX =5V | 5 | µA | |||
| VCE =300V, VX =5V | 10 | µA | ||||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB =5V, IC =0 | 0,1 | µA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE =10V, IC =1MA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE =10V, IC =10MA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE =10V, IC =30MA | 75 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC =20MA, IB =2MA | 0,2 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | IC =20MA, IB =2MA | 0,9 | V | ||
| Frecuencia de la transición | pie | VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz | 50 | Megaciclo |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 | |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 REFERENCIA. | 0,061 REFERENCIAS. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPOS. | ||
| e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPOS. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
SOT-89-3L sugirió la disposición del cojín
Cinta y carrete de SOT-89-3L
transistor de poder del transistor de poder del silicio 600mA NPN de gran intensidad
Carro de la investigación
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