salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos
CARACTERÍSTICA
salida baja del
alta conductancia del
Marca: A11
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo
contrario)
Characterisitics típico
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 | |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
salida baja del transistor de gran intensidad del transistor de poder del silicio 200v
Carro de la investigación
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