Conductor de alto voltaje original Using Transistor del Mosfet del transistor de poder del Mosfet
Number modelo:1503C1
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:Negociación
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
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Shenzhen China
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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Transistor de alto voltaje original del Mosfet, conductor Using Transistor del Mosfet
Funcionamiento y características de alto voltaje del transistor del Mosfet
La construcción del MOSFET del poder está en V-configuraciones, como podemos ver en la figura siguiente. Así el dispositivo también se llama como el V-MOSFET o el V-FET. El V la forma del MOSFET del poder se corta para penetrar de la superficie del dispositivo casi está al substrato de N+ al N+, al P, y a la N – capas. La capa de N+ es la capa pesadamente dopada con un material resistente bajo y la capa de la n es una capa ligeramente dopada con la alta región de la resistencia.
Descripción de alto voltaje de la característica del transistor del Mosfet
30V/34A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 7.1mΩ GS = 10V
R del DS (ENCENDIDO) = del @V 10,0 del mΩ (tipo.) GS = 4.5V
La avalancha 100% probó
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)
Usos de alto voltaje del transistor del Mosfet
Uso que cambia
Gestión del poder para DC/DC
Protección de la batería
Información que ordena y de marcado
C1
1503
YYXXXJWW
Código del paquete
C1: DFN3*3-8L
Código de fecha
YYXXX WW
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen los compuestos que
moldean/para morir los materiales de la fijación y la placa de lata
mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS.
Los productos sin plomo de HUAYI resolver o exceder el sin plomo
requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la
temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno
libremente (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm
por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones,
aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.
Grados máximos absolutos
Características de funcionamiento típicas
Conductor de alto voltaje original Using Transistor del Mosfet del transistor de poder del Mosfet
Carro de la investigación
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