Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: 9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces: Dentro de 22 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel

 

 

 

DESCRIPCIÓN

El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y

operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.

 

 

CARACTERÍSTICAS GENERALES

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A

8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28m="">

RDS (ENCENDIDO) < 26m="">

RDS (ENCENDIDO) < 22m="">

RDS (ENCENDIDO) < 20m="">

Grado del ESD: 2000V HBM

 

 

Uso

Protección de la batería

Gestión del poder del interruptor de la carga

 

 

 

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

 

Identificación del productoPaqueteMarcaQty (PCS)
8H02ETSTSSOP-88H02ETS WW YYYY5000/3000

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

ParámetroSímboloLímiteUnidad
Voltaje de la Dren-fuenteVDS20V
Voltaje de la Puerta-fuenteVGS±12V
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsado (la nota 1)Identificación7V
Disipación de poder máximaPaladio1,5W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamientoTJ, TSTG-55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2)RθJA83℃/W

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

 

 

NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficial montado en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
 
 
 
 
 
China Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V supplier

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Carro de la investigación 0