Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Lugar del origen:Shenzhen China
Cantidad de orden mínima:PCS 1000-2000
Detalles de empaquetado:Encajonado
Plazo de expedición:1 - 2 semanas
Condiciones de pago:L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:18,000,000PCS/por día
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 22 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel
DESCRIPCIÓN
El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a
proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GENERALES
VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A
8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28m="">
RDS (ENCENDIDO) < 26m="">
RDS (ENCENDIDO) < 22m="">
RDS (ENCENDIDO) < 20m="">
Grado del ESD: 2000V HBM
Uso
Protección de la batería
Gestión del poder del interruptor de la carga
Marca del paquete e información el ordenar
| Identificación del producto | Paquete | Marca | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 20 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V |
| Drene Current-Continuous@ Actual-pulsado (la nota 1) | Identificación | 7 | V |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 1,5 | W |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por
temperatura de empalme máxima. 2. superficial montado en FR4 el
tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2%
de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por
diseño, no conforme a la prueba de la producción.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Carro de la investigación
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