Portador de la oblea de semiconductor del cuarzo fundido ultra fino

Number modelo:ZCQ
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:100000pcs por día
Plazo de expedición:5-8 semana
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Beijing Beijing China
Dirección: Parque industrial de Jidong, Qianbaihujian, ciudad de Yangfang, distrito de Changping, Pekín, China
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Portador de la oblea de semiconductor del cuarzo fundido ultra fino

Nos especializan en la investigación, la fabricación y las ventas de los productos del cuarzo.
Los productos principales son: crisol del cuarzo, tubo de vidrio de cuarzo transparente, tubo de la difusión del vidrio de cuarzo, tubo de vidrio de pulido de cuarzo de la boca, diapositiva de cristal de cuarzo, barco del cuarzo, mercancías del cuarzo, montón del cuarzo, barra del cuarzo, material de construcción ligero, aparato médico, instrumentos científicos, etc.
Nos recordamos siempre que el “cliente es el centro, calidad somos la llave”. ¡Haremos nuestros esfuerzos del 100% para hacer a nuestros clientes satisfechos!

 

Características de productos:

Claro y limpio,

Alta homogeneidad

Resistente de alta temperatura

Alta transmisión ligera

Ataque anti de la química

 

Temperatura de trabajo:

Temperatura de trabajo regular: °C 1000

Temperatura de trabajo para a corto plazo: 1100°C

temperatura máxima de trabajo inmediata: 1300°C

 

Propiedad mecánica:

Propiedad mecánicaValor de referenciaPropiedad mecánicaValor de referencia
Densidad2.203g/cm3Índice de refracción1,45845
Fuerza compresiva>1100MpaCoeficiente de extensión termal5.5×10-7cm/cm.°C
Resistencia de flexión67MpaTemperatura caliente del trabajo1750~2050°C
Resistencia a la tensión48.3MpaLa temperatura por poco tiempo°C 1300
El ratio de Poisson0.14~0.17La temperatura durante mucho tiempo°C 1100
Módulo de elástico71700MpaResistencialos 7×107Ω.cm
Módulo de corte31000MpaFuerza dieléctricalos 250~400Kv/cm
Dureza de las polillas5.3~6.5 (escala de las polillas)Constante dieléctrica3.7~3.9
Punto de la deformación°C 1280Coeficiente de absorción dieléctrica<4>
Calor específico (20~350°C)°C 670J/kgCoeficiente de pérdida dieléctrica<1>
Conductividad termal (°C) 20°C del 1.4W/m 


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Portador de la oblea de semiconductor del cuarzo fundido ultra fino

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