FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
Number modelo:BTS282Z E3230
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:10pieces
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:500000PCS
Plazo de expedición:2-15days
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Shenzhen Hongkong China
Dirección:
1607B Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
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Detalles del producto
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET del poder BTS282ZE3230AKSA2 de Infineon Technologies. Su disipación de poder máxima es 300000 mW.
Para asegurar piezas no son dañados por el empaquetado a granel, este producto viene en el tubo que empaqueta para añr un poco más
protección almacenando las piezas flojas en un tubo externo.
Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -40 a 175 °C.
Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
Especificación:
Categoría | Productos de semiconductor discretos |
Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | TEMPFET® |
Paquete | Tubo |
Situación de la parte | Obsoleto |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 49 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 80A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 240µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 232 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4800 PF @ 25 V |
Característica del FET | Temperatura que detecta el diodo |
Disipación de poder (máxima) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | P-TO220-7-230 |
Paquete/caso | TO-220-7 |
Clasificaciones ambientales y de la exportación
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Número de parte | BTS282Z E3230 |
| Número de parte bajo | BTS282Z |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
FETs de los transistores del MOSFET 49V 80A del canal N de BTS282Z E3230 TO220-7
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