Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N
Number modelo:SIHF10N40D-E3
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:500000PCS
Plazo de expedición:2-15days
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Hongkong China
Dirección:
Fl12, distrito Shenzhen China 518000 de LongHua del mundo de la torre E XingHe
Proveedor Último login veces:
Dentro de 28 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
El transistor del canal N de los mosfets del poder SIHF10N40D-E3
actúa en modo del aumento
La disipación de poder máxima del SIHF10N40D-E3 de Vishay es 33000
mW. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del
aumento.
Este transistor del MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima del °C -55 y un máximo de 150 °C.
Si usted necesita tampoco amplificar o cambiar entre las señales en
su diseño, después el MOSFET del poder del SIHF10N40D-E3 de Vishay
está para usted.
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Configuración | Solo |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 400 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±30 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 5 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 10 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 600@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 15@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 15 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 526@100V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 33000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 14 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 18 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 18 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Paquete del proveedor | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Nombre del paquete estándar | TO-220 |
| Montaje | A través del agujero |
| Altura del paquete | 16,12 (máximo) |
| Longitud del paquete | 10,63 (máximo) |
| Anchura del paquete | 4,83 (máximo) |
| El PWB cambió | 3 |
| Etiqueta | Etiqueta |
| Forma de la ventaja | A través del agujero |
| Número de parte | SIHF10N40D-E3 |
| Número de parte bajo | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Más número de parte para el semiconductor general:
| Número de parte | MFG | Tipo de Packge |
| JW1060 | JuWell | SOP8-E |
| SL1053 | SILAN | SOP8 |
| ST8550D | ST | TO-92 |
| SS8050DBU | ST | TO-92 |
| PC847 | FAIRCHILD | DIP-16 |
| PC817A | FAIRCHILD | DIP-4 |
| PC123F | SOSTENIDO | DIP-4 |
| OB2353 | OB | SOP-8 |
| NE555P | ST | DIP-8 |
| MC34063 | EN | SOP-8 |
| LM7806 | ST | TO-220 |
| LM78051A | ST | COMPENSACIÓN |
| LM358 | ST | SOP-8 |
| LM339 | ST | COMPENSACIÓN |
| LM324 | ST | SO-14 (SMD) |
| LM2575T | ST | TO-220 |
| LM 7815 | ST | TO-220 |
| LL4148-GS08 | ST | LL34 |
| L7812CV | ST | TO-220 |
| KA78M09 | FAIRCHILD | TO-252 |
| IRFZ44V2A | IR | TO-220 |
| IRFP460 | IR | TO-247 |
| IRF840 | IR | TO-220 |
| HEF4013 | PHILIPS | SOP-14 |
| FQPF12N60C | FAIRCHILD | TO-220F |
| DTC143ZUAT106 | ROHM | SOT-323 |
| DINS4 | SHINDENGEN | DIP-2 |
| IRFR9024N | IR | TO-252N |
| BAV99 | Philip | SOT-23 |
| BA033ST | ROHM | SOT252 |
| AM5888SL/F | AMTEL | HSOP-28 |
| 93LC66B | MICROCHIP | DIP-8 |
| 93LC46 | MICROCHIP | DIP-8 |
| 93C46B | MICROCHIP | SOP-8 |
| 78L05 | ST | TO-92 |
| 78L05 | ST | SOT89 |
| 74HC4066D | Philip | SMD |
| 74HC4066 | PHILIPS | SO-14 |
| 74HC164 | Philip | COMPENSACIÓN |
| 24LC128 | MICROCHIP | DIP-8 |
| 24LC08B | MICROCHIP | DIP-8 |
| 1N5822-B | diodos inc. | DO-201AD |
| MC1413DR2G | EN el semiconductor | SOP-16 |
| HEF4069 | Philip | SO-14 (MOTOROLA) |
Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N
Carro de la investigación
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