Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT
Number modelo:IHW30N160R2FKSA1
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pieces
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:500000PCS
Plazo de expedición:2-15days
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Shenzhen Hongkong China
Dirección:
FL16 Construcción costera Bloque Este Distrito de Nanshan Shenzhen China 518000
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Detalles del producto
IHW30N160R2 IGBTs Transistores H30R1602 Serie de conmutación suave Semiconductores de potencia IC IHW30N160R2FKSA1Serie de conmutación suave
Aplicaciones:
• Cocina inductiva
• Aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
TrenchStop® de conducción inversa (RC-)IGBT con diodo de cuerpo
monolítico
Características:
• Potente diodo de cuerpo monolítico con voltaje directo muy bajo
• El diodo del cuerpo sujeta los voltajes negativos
• La tecnología Trench y Fieldstop para aplicaciones de 1600 V
ofrece:
- distribución de parámetros muy estrecha
- alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
• La tecnología NPT ofrece una fácil capacidad de conmutación en
paralelo debido a
coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat)
• EMI baja
• Calificado según JEDEC1
para aplicaciones de destino
• Recubrimiento de plomo libre de Pb;RoHS
Especificación: IGBT NPT, tope de campo de trinchera 1600 V 60 A 312 W Orificio pasante PG-TO247-3-1
| número de parte | IHW30N160R2 |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Transistores - IGBT - Únicos | |
Serie | TrenchStop® |
Paquete | Tubo |
Tipo de IGBT | NPT, parada de campo de zanja |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 1600 V |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 60A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 90A |
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2,1 V a 15 V, 30 A |
Potencia - Máx. | 312W |
Energía de conmutación | 4,37 mJ |
Tipo de entrada | Estándar |
Carga de la puerta | 94 nC |
Td (encendido/apagado) @ 25°C | -/525ns |
Condición de prueba | 600 V, 30 A, 10 ohmios, 15 V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | A través del orificio |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-1 |
Clasificaciones ambientales y de exportación
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| número de parte | IHW30N160R2FKSA1 |
| Número de parte base | IHW30N160R2 |
| RoHS de la UE | Cumple con la exención |
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la pieza | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Suplentes (1):
IXGH24N170 IXYS
Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT
Carro de la investigación
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