IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
Number modelo:IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Lugar del origen:China
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Capacidad de la fuente:500000PCS
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Shenzhen Hongkong China
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Fl12, distrito Shenzhen China 518000 de LongHua del mundo de la torre E XingHe
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IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistores TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descripción:
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de
procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por
área de silicio.
Las características adicionales de este producto son una
temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad
de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas
repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este
diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
Especificación:
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Tecnologías de Infineon |
Serie | HEXFET® |
Paquete | Tubo |
Tipo FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 voltios |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3,7 mOhm a 75 A, 10 V |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 150 nC a 10 V |
Vgs (Máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4340 pF a 25 V |
Función FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 200W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | A través del orificio |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Número de producto base | IRF1404 |
Clasificaciones ambientales y de exportación
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| REACH Estado | REACH no afectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de potencia IRFB7440PBF 40V 120A
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