Fabricación de obleas piezoeléctricas de última generación para dispositivos MEMS y SAW Capacidades de procesamiento avanzadas para resultados

Número de modelo:Servicios de fundición de virutas
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:1 PCS
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:10000 piezas al mes
Tiempo de entrega:1 a 4 semanas
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Hangzhou Shanghai China
Dirección: Habitación 1106, CIBC, No.198, calle Wuxing, Hangzhou, República Popular China
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Fabricación de obleas piezoeléctricas de última generación para dispositivos MEMS y SAW Capacidades de procesamiento avanzadas para obtener resultados

 

   

Nos especializamos en proporcionar servicios integrales de fundición de chips, atendiendo a clientes que requieren procesamiento y fabricación de obleas de alta calidad.,Nuestra amplia gama de obleas incluye:Niobato de litio (LiNbO)),Tantalato de litio (LiTaO)),Cuarzo de cristal único,Vidrio de sílice fundido,Vidrio de borosilicato (BF33),Vidrio de soda y cal,Oferta de silicio, yEl safir, garantizando la versatilidad para diversas aplicaciones.

 

  

Portfolio de materiales avanzados para obleas
Nuestra experiencia abarca sustratos estándar y exóticos:

  • Niobato de litio (LiNbO3, obleas de 4"-6")
  • Tantalato de litio (LiTaO3, cortado en Z/cortado en Y)
  • Quarzo de cristal único (cortado AT/cortado SC)
  • Silicio fundido (equivalente Corning 7980)
  • Vidrio de borosilicato (BF33/Schott Borofloat®)
  • Silicón (orientación 100/111, 200 mm como máximo)
  • El safir (C-plano/R-plano, 2" ′′ 8")

Tecnologías básicas de fabricación

  1. Litografía.

    • Litografía por haz de electrones (EBL, resolución de 10 nm)
    • Litografía de paso a paso (i-line, 365 nm)
    • Alineación de máscaras de proximidad (precisión de alineación de 5 μm)
  2. El grabado.

    • ICP-RIE (velocidad de grabado de SiO2/Si 500nm/min)
    • DRIE (proporción de aspecto 30:1, proceso Bosch)
    • Grabación en haz iónico (uniformidad angular < ± 2°)
  3. Deposición de película delgada

    • ALD (Al2O3/HfO2, uniformidad < 1 nm)
    • PECVD (SiNx/SiO2, controlado por tensión)
    • Las partidas de los componentes de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje.
  4. Enlace de obleas.

    • Enlace anódico (vidrio a si, 400 °C/1 kV)
    • Enlace eutético (Au-Si, 363°C)
    • Los componentes de las máquinas de ensamblaje y los componentes de las máquinas de ensamblaje y los componentes de las máquinas de ensamblaje y los componentes de las máquinas de ensamblaje y los componentes de las máquinas de ensamblaje y de ensamblaje.

Infraestructura de apoyo de procesos

  • Las partidas de los componentes de las partidas de los componentes de las partidas de los componentes de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas.
  • Pulido por CMP (Ra < 0,5 nm)
  • Las partes de los componentes de las máquinas de la partida 3A001.a. incluyen:
  • Metrología 3D (interferometría de la luz blanca)
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