Oblea piezoeléctrica de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI

Number modelo:Oblea de LNOI
Lugar del origen:CHINA
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Permisión de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI

 

Piezoeléctrico en el aislamiento (POI) refiere a una tecnología donde los materiales piezoeléctricos se integran sobre un substrato aislador. Esto permite la utilización del efecto piezoeléctrico mientras que proporciona el aislamiento eléctrico. La tecnología del POI permite el desarrollo de diversos dispositivos y los sistemas que aprovechan las propiedades únicas de los materiales piezoeléctricos para detectar, la impulsión, y la energía que cosecha usos.

 

La tecnología del POI (piezoeléctrico en el aislamiento) encuentra diversos usos en diversos campos debido a su capacidad de combinar las ventajas de materiales piezoeléctricos con el aislamiento eléctrico. Por ejemplo los sensores, sistemas y almacenamiento y generación de energía microelectromecánico.

 

La flexibilidad de integrar los materiales piezoeléctricos sobre un substrato aislador para abrir las posibilidades de las soluciones innovadoras en campos diversos, incluyendo electrónica, energía, atención sanitaria, y más.

 

 

Oblea de LNOI
EstructuraLN/SiO2/SiLTV/PLTV< 1="">)/el 95%del milímetro2 del 5
Diámetro± Φ100 0,2 milímetrosBorde Exclution5 milímetros
Grueso500 μm del ± 20ArcoDentro del μm 50
Longitud plana primaria± 47,5 2 milímetros
± 57,5 2 milímetros
Ajuste del borde± 2 0,5 milímetros
El biselar de la obleaR del tipoAmbientalRohs 2,0
Capa superior de LN
Grueso medio400/600±10 nanómetroUniformidad< 40nm="">
Índice de la refracciónningunos > 2,2800, ne < 2="">Orientación± 0.3° del eje de X
GradoÓpticoRa superficial< 0="">
Defectos>1m m ningunos;
1milímetrodentrode300totales
DelaminaciónNinguno
Rasguño>el 1cm ningunos;
el1cmdentrode3
Plano primarioPerpendicular al ± 1° de +Y AXIS
Aislamiento SiO2 capas
Grueso medio2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nmUniformidad<>
Fabuloso. MétodoÓxido termalÍndice de la refracción1.45-1.47 @ 633 nanómetro
Substrato
MaterialSiOrientación<100> ± 1°
Orientación plana primaria<110> ± 1°Resistencia> kΩ 10·cm
Contaminación de la parte traseraNinguna mancha visibleParte traseraGrabado de pistas

 

 

 


 

 

 

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Oblea piezoeléctrica de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI

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