4 oblea de la pulgada LNOI que alcanza la integración fotónica compacta

Number modelo:Oblea de LNOI
Lugar del origen:CHINA
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Realización de la integración fotónica compacta con las obleas de 4-Inch LNOI

 

LNOI representa niobato del litio en el aislador, que es una tecnología especializada del substrato usada en el campo del photonics integrado. Los substratos de LNOI son fabricados transfiriendo una capa delgada del cristal sobre un substrato aislador, típicamente dióxido de silicio (SiO2) o nitruro de silicio (Si3N4) del niobato del litio (LiNbO3). Esta tecnología ofrece las ventajas únicas para el desarrollo de dispositivos fotónicos compactos y de alto rendimiento.

 

La fabricación de los substratos de LNOI implica el enlazar de una capa delgada de LiNbO3 sobre una capa de aislamiento usando técnicas como la vinculación o el ion-corte de la oblea. Esto da lugar a una estructura donde LiNbO3 se suspende en un substrato no-conductor, proporcionando el aislamiento eléctrico y reduciendo las pérdidas ópticas de la guía de onda.

 

Usos de LNOI:

  • Photonics integrado
  • Comunicación óptica
  • Detección y metrología
  • La óptica de Quantum

 

Oblea de LNOI
EstructuraLN/SiO2/SiLTV/PLTV< 1="">)/el 95%del milímetro2 del 5
Diámetro± Φ100 0,2 milímetrosBorde Exclution5 milímetros
Grueso500 μm del ± 20ArcoDentro del μm 50
Longitud plana primaria± 47,5 2 milímetros
± 57,5 2 milímetros
Ajuste del borde± 2 0,5 milímetros
El biselar de la obleaR del tipoAmbientalRohs 2,0
Capa superior de LN
Grueso medio400/600±10 nanómetroUniformidad< 40nm="">
Índice de la refracciónningunos > 2,2800, ne < 2="">Orientación± 0.3° del eje de X
GradoÓpticoRa superficial< 0="">
Defectos>1m m ningunos;
1milímetrodentrode300totales
DelaminaciónNinguno
Rasguño>el 1cm ningunos;
el1cmdentrode3
Plano primarioPerpendicular al ± 1° de +Y AXIS
Aislamiento SiO2 capas
Grueso medio2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nmUniformidad<>
Fabuloso. MétodoÓxido termalÍndice de la refracción1.45-1.47 @ 633 nanómetro
Substrato
MaterialSiOrientación<100> ± 1°
Orientación plana primaria<110> ± 1°Resistencia> kΩ 10·cm
Contaminación de la parte traseraNinguna mancha visibleParte traseraGrabado de pistas

 

 

 


 

 

 

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