Suavidad y limpieza planas Sapphire Substrate For Semiconductor de C altas
Number modelo:Zafiro (Al2O3)
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5 pedazos
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:10000 pedazos/mes
Plazo de expedición:1-4 semanas
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Hangzhou Shanghai China
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Habitación 1106, CIBC, No.198, calle Wuxing, Hangzhou, República Popular China
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Suavidad plana y alta limpieza Sapphire Substrate For Semiconductor de C alta
Las obleas del zafiro son principalmente convenientes para la investigación y desarrollo de los nuevos dispositivos de semiconductor, ofreciendo altas especificaciones tales como alta suavidad y alta limpieza además de los grados estándar del substrato tradicional del zafiro.
Características principales
• Dureza de alta resistencia, alta, alta resistencia de desgaste (dureza en segundo lugar solamente al diamante)
• Alta transmitencia (transmitencia ligera en el ultravioleta a la gama infrarroja)
• Alta resistencia a la corrosión (alta tolerancia al ácido, al álcali, al plasma)
• Alto aislamiento (aislador, no fáciles conducir electricidad)
• Alta conductividad de calor de la resistencia térmica (punto de fusión 2050℃) (40 veces del vidrio)
Especificación
• El tamaño estándar (φ2 “, 3", 4", 6", 8", 12 "), el otro tamaño especial, forma de la esquina y otras formas pueden corresponder.
• Puede corresponder a una variedad de orientación plana: c-avión, r-avión, m-avión, uno-avión
• Pulido de doble cara, pulido de un sólo lado
• Perforación adaptable
| Crystal Materials | el 99.996% de Al2O3, pureza elevada, monocristalina, Al2O3 | ||||
| Calidad cristalina | Las inclusiones, las marcas de bloque, los gemelos, el color, las microburbujas y los centros de la dispersión son inexistentes | ||||
| Diámetro | 2inch | 3inch | 4inch | 5inch ~ 7inch | |
| 50.8± 0.1m m | 76.2±0.2m m | 100±0.3m m | De acuerdo con las disposiciones de la producción estándar | ||
| Grueso | los 430±15µm | los 550±15µm | los 650±20µm | Puede ser modificado para requisitos particulares por el cliente | |
| Orientación | C- avión (0001) al M-avión (1-100) o al Uno-avión (1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3 ±0.1°, R-avión (1-1 0 2), Uno-avión (1 1-2 0), M-avión (1-1 0 0), cualquier orientación, cualquier ángulo | ||||
| Longitud plana primaria | 16.0±1m m | 22.0±1.0m m | 32.5±1.5 milímetro | De acuerdo con las disposiciones de la producción estándar | |
| Orientación plana primaria | ± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0) | ||||
| TTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| LTV | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| TIR | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| ARCO | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| Deformación | ≤10µm | ≤15µm | ≤20µm | ≤30µm | |
| Front Surface | Epi-pulido (Ra< 0=""> | ||||
| Superficie trasera | Tierra fina (Ra=0.5 al µm 1,2), Epi-pulida (Ra< 0=""> | ||||
| Nota | Puede proporcionar la oblea de alta calidad del substrato del zafiro según el requisito específico de los clientes | ||||
PROPIEDADES FÍSICAS
| Densidad | 3,97 g/cm3 |
| Punto de fusión | 2040 grados de C |
| Conductividad termal | 27,21 con (m x K) en 300 K |
| Extensión termal | 5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
| Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
| Capacidad de calor específico | 419 j (kilogramo x K) |
| Constante dieléctrica | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
| Módulo de Young (e) | 335 GPa |
| (G) del módulo del esquileo | 148,1 GPa |
| Módulo a granel (k) | 240 GPa |
| Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 C33=498C44=148 |
| Límite elástico evidente | MPa 275 (40.000 PSI) |
| Ratio de Poisson | 0,25 |
Control de aceptación
Suavidad y limpieza planas Sapphire Substrate For Semiconductor de C altas
Carro de la investigación
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