Obleas simuladas de la prueba primera de la oblea de silicio del semiconductor de 12 pulgadas
Número de modelo:Oblea de silicio
Lugar de origen:Porcelana
Cantidad mínima de pedido:25 piezas
Términos de pago:T/T
Capacidad de suministro:100000 piezas/mes
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obleas simuladas de la prueba primera de la oblea de silicio de 12 pulgadas
La oblea de silicio es un material usado para producir los semiconductores, que se pueden encontrar en todos los tipos de dispositivos electrónicos que mejoren las vidas de la gente. El silicio viene en segundo lugar como el elemento más común del universo; se utiliza sobre todo como semiconductor en la tecnología y el sector electrónico.
Hay diversos métodos usados en la fabricación del silicio que cuenta el método horizontal de Bridgeman, el método horizontal del helada de la pendiente, el helada vertical de la pendiente, el método vertical de Bridgeman y el Czochralski que tira de método.
La oblea de silicio es el elemento principal en circuitos integrados. Puestos simplemente, los circuitos integrados son un compuesto de una variedad de elementos electrónicos que se reúnan para realizar una función particular.
El silicio es la plataforma dominante para los artilugios del semiconductor. Una oblea está apenas solamente una parte fina del material del semiconductor en el cual actúa como substrato para los dispositivos microelectrónicos cabidos y sobre la oblea.
SEMI estándar | 2" (50.8m m) | 3" (76.2m m) | 4" (100m m) | 5" (125m m) | 6" (150m m) | 8" (200m m) | 12" (300m m) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diámetro | 50,8 ± 0.38m m | 76,2 ± 0.63m m | 100 ± 0.5m m | 125 ± 0.5m m | 150 ± 0.2m m | 200 ± 0.2m m | 300 ± 0.2m m |
Grueso | 279 ± los 25µm | 381 ± los 25µm | 525 µm del ± 20 o 625 ± los 20µm | 625 ± los 20µm | 675 ± los 20µm o 625 ± el 15µm | 725 ± los 20µm | 775 ± los 20µm |
Tipo | P, N o lo intrínseco | ||||||
Dopante | B, pH, como o sin impurificar | ||||||
Orientación | <100> <111>, <110> | ||||||
Rsistivity | 0,001 – 300 ohm/cm | ||||||
Longitud plana primaria | 15,88 ± 1.65m m | 22,22 ± 3.17m m | 32,5 ± 2.5m m | 42,5 ± 2.5m m | 57,5 ± 2.5m m | Muesca | Muesca |
Longitud plana secundaria | 8 ± 1.65m m | 11,18 ± 1.52m m | 18 ± 2.0m m | 27,5 ± 2.5m m | 37,5 ± 2.5m m | NA | NA |
Final superficial | SSP, DSP, grabados al agua fuerte, o traslapados | ||||||
Óxido termal a ambos lados de la oblea
Espesor del film: 100Å – el 10µm en ambos lados
Tolerancia del espesor del film: Blanco el ±5%
Tensión de la película: - MPa 320±50 compresivo
Óxido termal en el solo lado de la oblea
Espesor del film: 100Å – 10,000Å en ambos lados
Tolerancia del espesor del film: Blanco el ±5%
Tensión de la película: MPa -320±50 compresivo
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Obleas simuladas de la prueba primera de la oblea de silicio del semiconductor de 12 pulgadas
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