El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor
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El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor
Las obleas de silicio son rebanadas finas de silicio crystalized puro. Estas formas puras de obleas normalmente se llaman oblea de silicio sin impurificar o intrínseca. Una de las razones de usar la oblea de silicio en industria del semiconductor es la abundancia natural de silicio. Es una del material más abundante encontrado en la tierra encontrada generalmente bajo la forma de SiO2. Otra razón de usar el silicio es que las características eléctricas del silicio se pueden controlar exacto por la adición de dopantes. Las obleas de silicio que se dopan con las impurezas tales como boro para crear el tipo las obleas y las obleas del p que se dopan con arsénico o fosforado crean el N-tipo obleas. El tipo obleas de P tiene varios agujeros cargados positivos mientras que el tipo obleas de N tiene varios electrones cargados negativos en él.
SEMI estándar | 2" (50.8m m) | 3" (76.2m m) | 4" (100m m) | 5" (125m m) | 6" (150m m) | 8" (200m m) | 12" (300m m) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diámetro | 50,8 ± 0.38m m | 76,2 ± 0.63m m | 100 ± 0.5m m | 125 ± 0.5m m | 150 ± 0.2m m | 200 ± 0.2m m | 300 ± 0.2m m |
Grueso | 279 ± los 25µm | 381 ± los 25µm | 525 µm del ± 20 o 625 ± los 20µm | 625 ± los 20µm | 675 ± los 20µm o 625 ± el 15µm | 725 ± los 20µm | 775 ± los 20µm |
Tipo | P, N o lo intrínseco | ||||||
Dopante | B, pH, como o sin impurificar | ||||||
Orientación | <100>, <111>, <110> | ||||||
Rsistivity | 0,001 – 300 ohm/cm | ||||||
Longitud plana primaria | 15,88 ± 1.65m m | 22,22 ± 3.17m m | 32,5 ± 2.5m m | 42,5 ± 2.5m m | 57,5 ± 2.5m m | Muesca | Muesca |
Longitud plana secundaria | 8 ± 1.65m m | 11,18 ± 1.52m m | 18 ± 2.0m m | 27,5 ± 2.5m m | 37,5 ± 2.5m m | NA | NA |
Final superficial | SSP, DSP, grabados al agua fuerte, o traslapados | ||||||
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