C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda
Brand Name:BonTek
Certification:ISO:9001
Model Number:Sapphire (Al2O3)
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C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda
El método del crecimiento refiere al proceso por el cual el lingote de solo zafiro cristalino es producido. Para la mayoría de las obleas del zafiro éste es el método de Kyropoulos (abreviado a KY o al Kr). El método de Kyropoulos es una continuación del método de Czochralski (CZ) que se utiliza en la fabricación de obleas de silicio. El método del Kr permite la producción de lingotes muy grandes de solo zafiro cristalino que se puedan entonces procesar en las obleas.
Los cortes típicos del zafiro son el R-avión (1102), el C-avión (0001), el Uno-avión (1120), el M-avión (1010) y el N-avión (1123). La orientación afecta a las propiedades físicas de las obleas del zafiro – y particularmente cómo ella integra y los partidos del enrejado con otros materiales.
| PROPIEDADES ÓPTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Alcance de transmisión | 0,17 a 5,5 micrones |
Índice de refracción | 1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones |
Pérdida de reflexión | en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
Ponga en un índice de la absorción | 0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 micrones |
dN/dT | 13,7 x 10-6 en 5,4 micrones |
dn/dm = 0 | 1,5 micrones |
| PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Densidad | 3,97 g/cm3 |
Punto de fusión | 2040 grados de C |
Conductividad termal | 27,21 con (m x K) en 300 K |
Extensión termal | 5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
Capacidad de calor específico | 419 j (kilogramo x K) |
Constante dieléctrica | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
Módulo de Young (e) | 335 GPa |
(G) del módulo del esquileo | 148,1 GPa |
Módulo a granel (k) | 240 GPa |
Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 |
Límite elástico evidente | MPa 275 (40.000 PSI) |
Ratio de Poisson | 0,25 |
Orientación | R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada |
Tolerancia de la orientación | ± 0.3° |
Diámetro | 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras |
Tolerancia del diámetro | 0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas |
Grueso | 0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros; |
Tolerancia del grueso | los 25μm |
Longitud plana primaria | 16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas |
Orientación plana primaria | ± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2° |
TTV | ≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
ARCO | ≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
Front Surface | Epi-pulido (Ra< 0.3nm para el C-avión, 0.5nm para otras orientaciones) |
Superficie trasera | Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido |
Empaquetado | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100 |
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