2N7002LT1G EN MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte
Number modelo:2N7002LT1G
Lugar del origen:NC
Cantidad de orden mínima:100
Condiciones de pago:PayPal
Capacidad de la fuente:25000+
Plazo de expedición:7-15 días
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Centro A-702, camino del sur de China de no. 1, Shenzhen, China de la logística internacional
Proveedor Último login veces:
Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
ENCENDIDO los MOSFETs del semiconductor se han diseñado para minimizar rato de la resistencia del en-estado proporcionan funcionamiento que cambiaba rugoso, confiable, y rápido. Su disipación de poder máxima es 300 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 60 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.
Características y ventajas:
• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren
requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101
calificó y PPAP capaz (2V7002L)
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y
son RoHS obediente
Uso:
• Control de motor servo
• Conductores de la puerta del MOSFET del poder
Especificaciones técnicas del producto
2N7002LT1G EN MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte
Carro de la investigación
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