TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash paralelo 1.8V 1G mordió 128M x 8 67 Pin VFBGA
Number modelo:TC58NYG0S3HBAI6
Lugar del origen:Tailandia
Cantidad de orden mínima:Qty del paquete
Detalles de empaquetado:cinta y carrete
Plazo de expedición:2 semanas
Condiciones de pago:T/T
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit el 128M x 8
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | 3A991.b.1.a |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | Desconocido |
| PPAP | Desconocido |
| Tipo de la célula | NAND |
| Chip Density (pedazo) | 1G |
| Arquitectura | Sectored |
| Bloque de bota | No |
| Organización del bloque | Simétrico |
| Anchura del autobús de dirección (pedazo) | 28 |
| Tamaño de sector | 128Kbyte x 1024 |
| Tamaño de página | 2Kbyte |
| Número de pedazos/palabra (pedazo) | 8 |
| Número de palabras | el 128M |
| Programabilidad | Sí |
| Tipo que mide el tiempo | Asincrónico |
| Tiempo máximo del borrado (s) | 0.01/Block |
| Tiempo programado máximo (ms) | 0,7 |
| Tecnología de proceso | Cmos |
| Tipo de interfaz | Paralelo |
| Voltaje de fuente mínimo de funcionamiento (v) | 1,7 |
| Voltaje de fuente típico de funcionamiento (v) | 1,8 |
| Voltaje de fuente máximo de funcionamiento (v) | 1,95 |
| Voltaje programado (v) | 1,7 a 1,95 |
| Actual de funcionamiento (mA) | 30 |
| Corriente del programa (mA) | 30 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -40 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 85 |
| Comando compatible | No |
| Ayuda del ECC | Sí |
| Ayuda del modo de página | No |
| Paquete del proveedor | VFBGA |
| Pin Count | 67 |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 0,7 (máximo) |
| Longitud del paquete | 8 |
| Anchura del paquete | 6,5 |
| El PWB cambió | 67 |
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash paralelo 1.8V 1G mordió 128M x 8 67 Pin VFBGA
Carro de la investigación
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