Pin SOT-23 T/R del transporte N CH 50V 0.2A 3 del Mosfet de BSS138LT1G Onsemi
Number modelo:BSS138LT1G
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:Qty del paquete
Detalles de empaquetado:cinta y carrete
Plazo de expedición:2 semanas
Condiciones de pago:T/T
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de BSS138LT1G ONsemi
EN EL MOSFET del semiconductor es un transistor del MOSFET del canal N que actúa en modo del aumento. Su disipación de poder máxima es 225 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 50 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.
Características y ventajas:
• Voltaje bajo del umbral (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) hacen ideal para
los usos de la baja tensión
• El paquete superficial miniatura del soporte SOT-23 ahorra el
espacio del tablero
• Prefijo de BVSS para los usos automotrices y otros que requieren
requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101
calificó y PPAP capaz
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y
son RoHS obediente
Uso:
• Convertidores de DC-DC
• Gestión del poder en productos portátiles y con pilas tales como
ordenadores
• Impresoras
• Tarjetas de PCMCIA
• Celular y teléfonos inalámbricos.
Especificaciones técnicas del producto
Amplifique las señales electrónicas y cambie entre ellas con la
ayuda EN del MOSFET del poder del BSS138LT1G del semiconductor. Su
disipación de poder máxima es 225 mW. Para asegurar entrega segura
y permitir el montaje rápido de este componente después de entrega,
será embalada en la cinta y el carrete que empaquetan durante el
envío. Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de
funcionamiento del °C -55 a 150 °C. Este dispositivo utiliza
tecnología de los tmos. Este transistor del MOSFET del canal N
actúa en modo del aumento.
Pin SOT-23 T/R del transporte N CH 50V 0.2A 3 del Mosfet de BSS138LT1G Onsemi
Carro de la investigación
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