Pin SOT-23 T/R de los transistores N-CH 60V 0.115A 3 del Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI
Number modelo:2N7002LT1G
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:Qty del paquete
Detalles de empaquetado:cinta y carrete
Plazo de expedición:2 semanas
Condiciones de pago:T/T
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Shenzhen China
Dirección:
Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de 2N7002LT1G ONSEMI
ENCENDIDO los MOSFETs del semiconductor se han diseñado para minimizar rato de la resistencia del en-estado proporcionan funcionamiento que cambiaba rugoso, confiable, y rápido. Su disipación de poder máxima es 300 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 60 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.
Características y ventajas:
• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren
requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101
calificó y PPAP capaz (2V7002L)
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y
son RoHS obediente
Uso:
• Control de motor servo
• Conductores de la puerta del MOSFET del poder
Especificaciones técnicas del producto
Pin SOT-23 T/R de los transistores N-CH 60V 0.115A 3 del Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI
Carro de la investigación
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