Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Number modelo:IRLML6401TRPBF
Lugar del origen:CHINA
MPN:IRLML6401TRPBF
MFR:Infineon
Categoría:MOSFET
Tamaño:1.02*3.04*1.4m m
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Shenzhen China
Dirección:
Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de IRLML6401TRPBF Infineon
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Material | Si |
| Configuración | Solo |
| Tecnología de proceso | HEXFET |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 12 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±8 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 0,95 |
| Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) | -55 a 150 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 4,3 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 50@4.5V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 10@5V |
| Puerta típica para drenar la carga (nC) | 2,6 |
| Puerta típica a la carga de la fuente (nC) | 1,4 |
| Carga reversa típica de la recuperación (nC) | 8 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 830@10V |
| Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia | 125@10V |
| Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) | 0,4 |
| Capacitancia de salida típica (PF) | 180 |
| Disipación de poder máxima (mW) | 1300 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 210 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 32 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 250 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 11 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a) | 34 |
| Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W) | 100 |
| Voltaje típico de la meseta de la puerta (v) | 1,7 |
| Tiempo de recuperación reversa típico (ns) | 22 |
| Voltaje delantero del diodo máximo (v) | 1,2 |
| Voltaje típico del umbral de la puerta (v) | 0,55 |
| Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) | 8 |
| Pin Count | 3 |
| Nombre del paquete estándar | BORRACHÍN |
| Paquete del proveedor | SOT-23 |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 1,02 (máximo) |
| Longitud del paquete | 3,04 (máximo) |
| Anchura del paquete | 1,4 (máximo) |
| El PWB cambió | 3 |
| Forma de la ventaja | Gaviota-ala |
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Carro de la investigación
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