Sustrato BeO AlN del soporte superficial de las terminaciones del microprocesador de 5W DC 6GHz 1.27x2.54m m
Número de modelo:Chip
Lugar de origen:Porcelana
Cantidad mínima de pedido:100 piezas
Términos de pago:T/T, L/C, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de suministro:13Million PCS para el resistor del RF, 7Million PCS para el atenuador del RF
El tiempo de entrega:5-8 días laborales
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Shenzhen China
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D Block, Chiwan Industrial Park, No.1 Shaodi Road,Shekou Nanshan District, Shenzhen 518067, China.
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Detalles del producto
Terminaciones de chip 50Ω 5w DC- 6GHz BeO AlN Al2O3 1.27 * 2.54
| Resistencia estándar: | 50Ω | Material del sustrato: | BeO, AlN, Al2O3 |
|---|---|---|---|
| Tolerancia de resistencia: | ±5 % (predeterminado); ±2 %; ±1 % | Potencia nominal: | 5W |
| Frecuencia: | CC-6GHz | VSWR: | 1.25 |
| Potencia nominal | Frecuencia | VSWR | Dimensiones (mm) | Modelo | |||||
| (W) | (GHz) | (Máx.) | W | L | H | A | B | C | |
| 1 | DC-30 | 1.30 | 0.5 | 1 | 0.25 | N / A | N / A | N / A | RFR50N-1CT24801B |
| 3 | DC-30 | 1.50 | 1.27 | 2.54 | 0.6 | 1.54 | 0.5 | 0.6 | RFR50-3CT43702F |
| 5 | DC-6 | 1.25 | 1.27 | 2.54 | 0.6 | 1.54 | 0.4 | 0.6 | RFR50N-5CT27001B |
| 12 | DC-6 | 1.20 | 1.5 | 3 | 0.38 | N / A | N / A | N / A | RFR50N-12CT15803B |
| 5 | DC-12 | 1.35 | 2.5 | 3 | 0.6 | N / A | N / A | N / A | RFR50-5CT0214B |
| 25 | DC-6 | 1.20 | 2.5 | 5 | 1 | N / A | N / A | N / A | RFR50N-25CT0337B |
| 150 | DC-4 | 1.20 | 6.35 | 6.35 | 1.5 | 1.27 | 0.76 | N / A | RFR50N-150CT4803B |
Características de nuestros productos:
1. Buen comportamiento a la temperatura, alta capacidad sísmica.
2. Pérdida de inserción baja, manejo de alta potencia.
3. Alta calidad, bajo precio, entrega rápida.4. Diseño
personalizado disponible bajo pedido.
5. Cumple con el estándar ROHS.6. Garantizado por un año estándar
Preguntas frecuentes sobre terminales con chip
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Sustrato BeO AlN del soporte superficial de las terminaciones del microprocesador de 5W DC 6GHz 1.27x2.54m m
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