Infineon SMD que monta a EMI Noise Filter IC LM9061QDRQ1

Number modelo:LM9061QDRQ1
Lugar del origen:N/S
Cantidad de orden mínima:1pcs
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:9999999+PCS
Plazo de expedición:2-7 días del trabajo
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Shenzhen China
Dirección: 7F, Building F, Longjing Science park, 335 Bulong Road, Ma Antang Community, Bantian Street, Longgang District, Shenzhen, China
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Detalles del producto

EMI Filter IC Texas Instruments /TI LM9061QDRQ1

Módulo de ECADSímbolo, huella y modelo 3D del PWB
ECCNEAR99
País de origenMalasia
Halógeno libreObediente
EOL Date estimado2028
Situación de la oferta y de la demandaLimitado
Amenaza falsa en el mercado librelos 53 PCT.
RenombreMedio
Fabricante Package8-SOIC
Paquete8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
MontajeSMD
Gama de temperaturas de funcionamiento-40°C ~ 125°C (TJ)
Fecha de introducción24 de noviembre de 2014
Voltaje de la lógica - VIL, VIH1.5V, 3.5V
Tipo de la puertaMOSFET del canal N
Número de conductores1
Tipo de canalSolo
EmpaquetadoCarrete - TR
ApellidoLM9061
FabricanteTexas Instruments
CategoríasCircuitos integrados (ICs)
Voltaje de fuente de funcionamiento7 V ~ 26 V
Configuración conducidaAlto-lado
SerieAutomotriz, AEC-Q100

Características para el LM9061-Q1

  • Calificado para los usos automotrices
  • AEC-Q100 calificó con los resultados siguientes:
    • Nivel 2 de la clasificación de HBM ESD del dispositivo
    • Nivel C4B de la clasificación del dispositivo CDM ESD
  • Soporta transeúntes de la fuente 60-V
  • Cierre de la sobretensión con VCC > 30 V
  • Cierre-APAGADo sin pérdidas de la protección de la sobreintensidad de corriente
    • El resistor actual del sentido no se requiere
    • Minimiza apagón con las cargas de gran intensidad
  • Retraso programable del cierre-APAGADo de la protección
  • Salida gradual para minimizar voltajes transitorios de la carga inductiva
  • Entrada de control por intervalos Lógica-compatible del Cmos

Descripción para el LM9061-Q1

La familia LM9061 consiste en los dispositivos de la carga-bomba que proporciona la impulsión de la puerta a un MOSFET de la alimentación externa de cualquier tamaño configuró como un conductor o interruptor del alto-lado. Esto incluye los MOSFETs conectados paralelamente múltiples para los usos muy de gran intensidad. Controles de entrada por intervalos lógica-compatibles De un Cmos el voltaje de la impulsión de la puerta de salida. En EN estado, el voltaje de la bomba de carga, que está bien sobre la fuente disponible VCC, se aplica directamente a la puerta del MOSFET. Un 15-V incorporado Zener afianza la puerta con abrazadera máxima al voltaje de la fuente del MOSFET. Cuando está ordenado de un fregadero actual 110-µA descarga las capacitancias de la puerta del MOSFET para que una característica gradual de la salida minimice la duración de los voltajes transitorios de la carga inductiva y proteja más lejos el MOSFET del poder.

La protección sin pérdidas del MOSFET del poder es una característica dominante del LM9061. La caída de voltaje (VDS) a través del dispositivo de poder se supervisa y se compara continuamente contra un voltaje externamente programable del umbral. Un pequeño resistor de actual-detección en serie con la carga, que causa una pérdida de energía disponible, no se requiere para el conjunto de circuitos de la protección. Si el VDSvoltage, debido a la corriente excesiva de la carga, excede el voltaje del umbral, la salida está trabada APAGADO en una moda más gradual (a través de un fregadero de la corriente de salida 10-µA) después de un intervalo de tiempo programable de retraso.

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Infineon SMD que monta a EMI Noise Filter IC LM9061QDRQ1

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